参数资料
型号: QS5U16TR
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 1/5页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
产品目录绘图: QS5x Series TSMT-5
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 30V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 2A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 100 毫欧 @ 2A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 3.9nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 175pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
供应商设备封装: TSMT5
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: QS5U16DKR

QS5U16
Transistors
2.5V Drive Nch+SBD MOS FET
QS5U16
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Schottky Barrier DIODE
External dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U16 combines Nch MOSFET with a
(5)
(4)
0~0.1
Schottky barrier diode in a single TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive (2.5V).
4) The Independently connected Schottky barrier diode
has low forward voltage.
Applications
Load switch, DC / DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U16
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Taping
TR
(5)
(4)
QS5U16
Basic ordering unit (pieces)
3000
? 2
? 1
(1) Gate
(1)
(2)
(3)
(2) Source
(3) Anode
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(4) Cathode
(5) Drain
Rev.A
1/4
相关PDF资料
PDF描述
QS5U17TR MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5
QS5U21TR MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
QS5U23TR MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
QS5U26TR MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
QS5U27TR MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
相关代理商/技术参数
参数描述
QS5U17 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch+SBD,Vdss=30V,Id=2A,TSMT5
QS5U17_1 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+SBD MOS FET
QS5U17TR 功能描述:MOSFET N-CH 30V 2A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
QS5U21 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (?20V, ?1.5A)
QS5U21_06 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET