参数资料
型号: QS5U23TR
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT5
产品目录绘图: QS5x Series TSMT-5
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET P 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 200 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 2V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 4.2nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 325pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
供应商设备封装: TSMT5
包装: 标准包装
产品目录页面: 1639 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: QS5U23DKR

QS5U23
Transistor
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS5U23
Structure
Silicon P-channel MOS FET
Schottky Barrier DIODE
External dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U23 combines Pch MOS FET with a
(5)
(4)
0~0.1
Schottky barrier diode in a TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive(2.5V)
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
Load switch , DC/DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U23
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Taping
TR
(5)
(4)
QS5U23
Basic ordering unit
(pieces)
3000
? 2
(1)ANODE
(2)SOURCE
(3)GATE
? 1
(4)DRAIN
(5)CATHODE
(1)
(2)
(3)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
Rev.A
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