参数资料
型号: QS5U34TR
厂商: Rohm Semiconductor
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描述: MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5
产品目录绘图: QS5x Series TSMT-5
特色产品: ECOMOS? Series MOSFETs
标准包装: 1
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 二极管(隔离式)
漏极至源极电压(Vdss): 20V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 1.5A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 180 毫欧 @ 1.5A,4.5V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 1.3V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 2.5nC @ 4.5V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 110pF @ 10V
功率 - 最大: 900mW
安装类型: 表面贴装
封装/外壳: SOT-23-5 细型,TSOT-23-5
供应商设备封装: TSMT5
包装: 标准包装
产品目录页面: 1638 (CN2011-ZH PDF)
其它名称: QS5U34DKR
QS5U34
Transistors
1.8V Drive Nch+SBD MOSFET
QS5U34
Structure
Silicon N-channel MOSFET
Schottky Barrier DIODE
Dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U34 combines Nch MOSFET with a
(5)
(4)
0~0.1
Schottky barrier diode in a single TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive (1.8V).
4) The Independently connected Schottky barrier diode
has low forward voltage.
Applications
Load switch, DC / DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U34
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
(4)
QS5U34
? 2
? 1
(1)Gate
(2)Source
(1) (2)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(3)
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
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