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参数资料
| 型号： | QS6J11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
QS6J11
Dual Pch -12V -2.0A Power MOSFET
l Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
I D
P D
- 12V
105m W
- 2A
1.25W
TSMT6
(1)
(2)
(3)
(6)
(5)
(4)
l Features
1) Low on - resistance.
l Inner circuit
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small Surface Mount Package (TSMT6).
(1) Tr1 Gate
(2) Tr2 Source
(3) Tr2 Gate
(4) Tr2 Drain
(5) Tr1 Source
(6) Tr1 Drain
4) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
* 1 ESD PROTECTION DIODE
* 2 BODY DIODE
l Packaging specifications
Packaging
Taping
l Application
Reel size (mm)
180
DC/DC converters
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
8
3,000
TR
J11
l Absolute maximum ratings (T a = 25°C) <It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source voltage
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Power dissipation
Junction temperature
Range of storage temperature
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/11
Symbol
V DSS
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
P D *3
P D *4
T j
T stg
Value
- 12
? 2
? 8
? 10
1.25
0.6
150
- 55 to + 150
Unit
V
A
A
V
W
W
°C
°C
2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
| QS6M3TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6J1TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6J3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −1.5A) |
| QS6J3TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6K1 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch2,Vdss=30V,Id=1A,TSMT6 |
| QS6K1_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
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