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参数资料
| 型号： | QS6U22TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | QS6U22DKR |
QS6U22
Transistors
2.5V Drive Pch+SBD MOS FET
QS6U22
Structure
Silicon P-channel MOS FET
Schottky Barrier DIODE
External dimensions (Unit : mm)
TSMT6
2.9
1.9
0.95 0.95
1.0MAX
0.85
0.7
Features
1) The QS6U22 combines Pch MOS FET with a Schottky
(6)
(5)
(4)
0~0.1
barrier diode in a TSMT6 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
1pin mark
(1)
(2)
0.4
(3)
0.16
3) Low voltage drive (2.5V).
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
Load switch, DC / DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U22
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Taping
TR
(6)
(5)
(4)
QS6U22
Basic ordering unit (pieces)
3000
? 2
? 1
(1) Anode
(2) Source
(1)
(2)
(3)
(3) Gate
(4) Drain
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(5) N / C
(6) Cathode
? A protection diode has been in between the gate and
the source to protect against static electricity when the product
is in use. Use the protection circuit when rated voltages are exceeded.
Rev.A
1/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6U24TR | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
| QSB34 | PHOTODIODE GULL WING SMD |
| QSB363CYR | PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6U24 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (-30V, -1A) |
| QS6U24_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOS FET |
| QS6U24TR | 功能描述:MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6Z5 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Complex Midium Power Transistors (50V/1A) |
| QS7024A-20J | 制造商:Rochester Electronics LLC 功能描述:- Bulk |
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