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参数资料
| 型号： | QSB363CYR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 940nm |
| 视角： | 24° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，轭形弯曲 |
March 2011
QSB363C
Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
Features
■ NPN Silicon Phototransistor
■ T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
■ Medium Wide Beam Angle, 24°
■ Clear Plastic Package
■ Matched Emitters: QEB363 or QEB373
■ Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)
■ Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
Package Dimensions
0.276 (7.0)
Description
The QSB363 is a silicon phototransistor encapsulated in
a clear infrared T-3/4 package.
EMITTER
MIN
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.074 (1.9)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
.059 (1.5)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
.051 (1.3)
0.055 (1.4)
Schematic
COLLECTOR
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
NOTES:
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.024 (0.6)
EMITTER
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363C Rev. 1.0.3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB363GR | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
| QSC112CC6R0 | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM |
| QSC113C6R0 | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM |
| QSD2030FA4R0 | PHOTODIODE DAYL FILTER 880NM 5MM |
| QSD2030 | PHOTODIODE 880NM CLEAR 5MM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB363CZR | 功能描述:光电晶体管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363GR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363YR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363ZR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB373ZR | 功能描述:光电晶体管 T-3- 4 PHOTO XSTR DETECTOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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