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参数资料
| 型号： | QSD2030 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTODIODE 880NM CLEAR 5MM |
| 标准包装： | 250 |
| 波长： | 880nm |
| 光谱范围： | 400nm ~ 1100nm |
| 二极管类型： | 引脚 |
| 响应时间： | 5ns |
| 电压 - (Vr)（最大）： | 50V |
| 电流 - 暗（标准）： | 10nA |
| 有效面积： | 1.245mm x 1.245（1.5mm²） |
| 视角： | 40° |
| 工作温度： | -40°C ~ 100°C |
| 封装/外壳： | T 1 3/4 |
May 2010
QSD2030
Plastic Silicon Photodiode
Features
■ PIN photodiode
■ Package type: T-1 3/4 (5mm lens diameter)
■ Wide reception angle, 40°
■ Package material and color: clear epoxy
Package Dimensions
0.195 (4.95)
REFERENCE
■ High sensitivity
■ Peak sensitivity λ = 880nm
■ Radiant sensitive area: 1.245mm x 1.245mm
SURFACE
0.800 (20.3)
MIN
0.050 (1.25)
0.305 (7.75)
0.040 (1.02)
NOM
CATHODE
Schematic
CATHODE
ANODE
0.100 (2.54)
NOM
0.240 (6.10)
0.215 (5.45)
0.020 (0.51)
SQ. (2X)
Notes:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ±0.010 (0.25) on all non-nominal dimensions unless otherwise specified.
?2010 Fairchild Semiconductor Corporation
QSD2030 Rev. 1.1.1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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| QSE133 | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSD2030_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode |
| QSD2030_Q | 功能描述:光电二极管 T-1 3- 4 SENSOR RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| QSD2030F | 功能描述:光电二极管 PIN PHOTODIODE RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
| QSD2030F_08 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode |
| QSD2030F_13 | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:Plastic Silicon Photodiode |
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