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参数资料
| 型号： | QSE114E3R0 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR IR 30V SIDELOOKR |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 50° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
PACKAGE DIMENSIONS
0.175 (4.44)
QSE113
QSE114
0.087 (2.22)
0.050 (1.27)
? 0.065 (1.65)
0.200 (5.08)
? 0.095 (2.41)
0.500 (12.70)
MIN
EMITTER
COLLECTOR
0.020 (0.51) SQ.
(2X)
0.100 (2.54)
0.030 (0.76)
0.100 (2.54)
NOM
NOTES:
1. Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non-nominal dimensions unless
otherwise speci ? ed.
SCHEMATIC
Collector
Emitter
DESCRIPTION
The QSE113/114 is a silicon phototransistor encapsulated in a wide angle, infrared transparent, black plastic sidelooker package.
FEATURES
?
?
?
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?
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NPN silicon phototransistor
Package type: Sidelooker
Medium wide reception angle, 50°
Package material and color: black epoxy
Matched emitter: QEE113
Daylight ?lter
High sensitivity
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
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5/1/02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSE122 | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
| QSE133 | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
| QSE158C | PHOTOSENSOR BIPOLAR SIDELOOKER |
| QSE256 | IC PHOTOSENSOR SIDELOOKER |
| QSE257 | IC PHOTOSENSOR SIDELOOKER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSE122 | 功能描述:光电晶体管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE122_Q | 功能描述:光电晶体管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE123 | 制造商:QT 制造商全称:QT 功能描述:SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR |
| QSE133 | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Darlington Sidelook RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE133_TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Photodarlington IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bulk |
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