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参数资料
| 型号： | QSE114E3R0 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 2/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR IR 30V SIDELOOKR |
| 标准包装： | 2,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 50° |
| 功率 - 最大： | 100mW |
| 安装类型： | 通孔 |
| 方向： | 侧视图 |
| 封装/外壳： | 径向 |
PLASTIC SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
QSE113
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS (T A = 25 ° C unless otherwise speci ? ed)
QSE114
Parameter
Operating Temperature
Storage Temperature
Symbol
T OPR
T STG
Rating
-40 to +100
-40 to +100
Unit
° C
° C
Soldering Temperature
(Iron) (2,3,4)
T SOL-I
240 for 5 sec
° C
Soldering Temperature (Flow) (2,3)
Collector Emitter Voltage
Emitter Collector Voltage
T SOL-F
V CE
V EC
260 for 10 sec
30
5
° C
V
V
Power
Dissipation (1)
P D
100
mW
NOTES:
1. Derate power dissipation linearly 1.33 mW/ ° C above 25 ° C.
2. RMA ? ux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols are recommended as cleaning agents.
4. Soldering iron 1/16" (1.6 mm) minimum from housing.
5. λ = 880 nm (AlGaAs).
ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS (T A =25 ° C unless otherwise speci ? ed)
Parameter
Peak Sensitivity
Reception Angle
Collector Emitter Dark Current
Collector-Emitter Breakdown
Emitter-Collector Breakdown
Test Conditions
V CE = 10 V, E e = 0
I C = 1 mA
I E = 100 μA
Symbol
λ PS
Θ
I CEO
BV CEO
BV ECO
Min
—
—
—
30
5
Typ
880
±25
—
—
—
Max
—
—
100
—
—
Units
nM
Deg.
nA
V
V
On-State Collector
QSE113
Current (5)
E e = 0.5 mW/cm 2 , V CE = 5 V
I C(ON)
0.25
—
1.50
mA
On-State Collector Current (5)
QSE114
Saturation Voltage (5)
Rise Time
Fall Time
E e = 0.5 mW/cm 2 , V CE = 5 V
E e = 0.5 mW/cm 2 , I C = 0.1 mA
I C = 1mA, V CC = 5V, R L = 100 ?
I C(ON)
V CE(SAT)
t r
t f
1.00
—
—
—
—
—
8
8
—
0.4
—
—
mA
V
μs
μs
? 2002 Fairchild Semiconductor Corporation
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5/1/02
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSE122 | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
| QSE133 | IC PHOTOTRANS IR 880NM SIDE-LOOK |
| QSE158C | PHOTOSENSOR BIPOLAR SIDELOOKER |
| QSE256 | IC PHOTOSENSOR SIDELOOKER |
| QSE257 | IC PHOTOSENSOR SIDELOOKER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSE122 | 功能描述:光电晶体管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE122_Q | 功能描述:光电晶体管 3mA PHOTO TRANS RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE123 | 制造商:QT 制造商全称:QT 功能描述:SIDELOOKE PHOTOTRANSISTOR |
| QSE133 | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Darlington Sidelook RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSE133_TF | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Photodarlington IR Chip Silicon 880nm 2-Pin Side Looker Bulk |
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