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参数资料
| 型号： | QSB363GR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 2mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 940nm |
| 视角： | 24° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 其它名称： | QSB363GRDKR |
June 2013
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR
Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
Features
Description
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NPN Silicon Phototransistor
T-3/4 (2 mm) Surface Mount Package
Medium Wide Beam Angle: 24°
Black Plastic Package
Matched Emitters: QEB363 or QEB373
Daylight Filter
Tape & Reel Option (see Tape & Reel Specifications)
Lead Form Options: Gull-wing, Yoke, Z-Bend
The QSB363 is a silicon phototransistor encapsulated in a
black infrared transparent T-3/4 package.
SCHEMATIC
COLLECTOR
EMITTER
Ordering Information
Part Number
QSB363
QSB363GR
QSB363YR
QSB363ZR
Operating Temperature
-40 to +85°C
Package
T-3/4
T-3/4 Gull-wing
T-3/4 Yoke
T-3/4 Z-Bend
Packing Method
Bulk
Tape and Reel
Tape and Reel
Tape and Reel
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR Rev. 1.1.0
1
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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| QSB363ZR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB373ZR | 功能描述:光电晶体管 T-3- 4 PHOTO XSTR DETECTOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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