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参数资料
| 型号： | QSB363GR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 2mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 940nm |
| 视角： | 24° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 其它名称： | QSB363GRDKR |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Collector Power Dissipation vs. Ambient
Temperature
Figure 3. Relative Collector Current vs. Ambient
Temperature
Figure 5. Collector Dark Current vs. Ambient
Temperature
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR Rev. 1.1.0
3
Figure 2. Spectral Sensitivity
Figure 4. Collector Current vs. Irradiance
Figure 6. Collector Current vs. Collector Emitter
Voltage
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSC112CC6R0 | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM |
| QSC113C6R0 | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 3MM |
| QSD2030FA4R0 | PHOTODIODE DAYL FILTER 880NM 5MM |
| QSD2030 | PHOTODIODE 880NM CLEAR 5MM |
| QSE1103 | PHOTOSENSOR HS LOGIC SIDELOOKER |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB363YR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363ZR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB373ZR | 功能描述:光电晶体管 T-3- 4 PHOTO XSTR DETECTOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB-40-01 | 功能描述:风扇电线及配件 40mm EMI FILTR SHLD RoHS:否 制造商:ebm-papst 类型:Finger Guard 适合风扇大小:120 mm 系列: |
| QSB-40-01 | 制造商:Qualtek Electronics Corporation 功能描述:EMI FILTER SHIELD |
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