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参数资料
| 型号： | QSB363GR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 5/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 2mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 940nm |
| 视角： | 24° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 其它名称： | QSB363GRDKR |
Physical Dimensions (continued)
Features
■ Three lead forming options: Gull-wing, Yoke and Z-Bend
■ Compatible with automatic placement equipment
■ Supplied on tape and reel or in bulk packaging
■ Compatible with vapor phase re?ow solder processes
Gull-wing Lead Con?guration
Z-Bend Lead Con?guration
?0.075 ± 0.008
(?1.9 ± 0.2)
Collector
0.098 ± 0.004
(2.5 ± 0.1)
CL
?0.075 ± 0.008
(1.9 ± 0.2)
Collector
0.098 ± 0.004
(2.5 ± 0.1)
CL
0.157 ± 0.008
(4.0 ± 0.2)
0.043 ± 0.008 0.055 ± 0.008
(1.1 ± 0.2) (1.4 ± 0.2)
R0.031 ± .004
(0.8 ± 0.1)
0.051 ± 0.004
(1.3 ± 0.1)
0.043 ± 0.008 0.055 ± 0.008
R0.031 ± .004 (1.1 ± 0.2) (1.4 ± 0.2)
(0.8 ± 0.1)
0.051 ± 0.004
(1.3 ± 0.1)
0.032 –0
(0.83
)
0.023 –0
(0.6 –0
)
+0.005
+0.13
–0
0.012 ± 0.004
(0.3 ± 0.1)
0.029 ± 0.004
(0.75 ± 0.1)
0.055 ± 0.004
(1.4 ± 0.1)
+0.005
+0.13
0.12 ± 0.008
(3.05 ± 0.2)
0.169 ± 0.008 (4.3 ± 0.2)
0.228 ± 0.008 (5.8 ± 0.2)
0.055 ± 0.004
(1.4 ± 0.1)
0.029 ± 0.004
(0.75 ± 0.1)
Yoke Lead Con?guration
?0.075 ± 0.008
(1.9 ± 0.2)
Collector
0.098 ± 0.004
(2.5 ± 0.1)
CL
R0.016 ± .004
(0.4 ± 0.1)
0.043 ± 0.008 0.055 ± 0.008
(1.1 ± 0.2) (1.4 ± 0.2)
R0.031 ± .004
(0.8 ± 0.1)
0.051 ± 0.004
(1.3 ± 0.1)
0.185 ± 0.008 (4.7 ± 0.2)
0.291 ± 0.008 (7.4 ± 0.2)
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR Rev. 1.1.0
0.029 ± 0.004
(0.75 ± 0.1)
0.055 ± 0.004
(1.4 ± 0.1)
5
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB363YR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363ZR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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