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参数资料
| 型号： | QSB363GR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANS IR 940NM GW TOPLOOKER |
| 标准包装： | 1 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 2mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 940nm |
| 视角： | 24° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
| 其它名称： | QSB363GRDKR |
Physical Dimensions
T-3/4
0.276 (7.0)
EMITTER
MIN
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
0.074 (1.9)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
.059 (1.5)
.051 (1.3)
0.055 (1.4)
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
0.106 (2.7)
0.024 (0.6)
0.091 (2.3)
Notes:
1.Dimensions for all drawings are in inches (mm).
2.Tolerance of ±0.010 (0.25) on all non-nominal dimensions unless otherwise specified.
Figure 7. T-3/4 , 2 MM DETECTOR (ACTIVE)
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? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR Rev. 1.1.0
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB363YR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363ZR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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