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参数资料
| 型号： | QS6U22TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 215 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 270pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | QS6U22DKR |
QS6U22
Transistors
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<MOSFET>
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 20
± 12
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Channel temperature
Power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
Tch
P D ? 3
± 1.5
± 6.0
? 0.75
? 6.0
150
0.9
A
A
A
A
° C
W / ELEMENT
<Di>
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
V RM
V R
I F
25
20
0.7
V
V
A
Forward current surge peak
Junction temperature
Power dissipation
I FSM
Tj
P D
? 2
? 3
3.0
150
0.7
A
° C
W / ELEMENT
<MOSFET AND Di>
Total power dissipation
Range of Storage temperature
P D ? 3
Tstg
1.25
? 55 to +150
W / TOTAL
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1% ? 2 60Hz ? 1cyc. ? 3 Mounted on a ceramic board
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
? MOSFET ?
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS =± 12V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 20
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-state
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f
Q g ?
Q gs ?
Q gd ?
?
? 0.7
?
?
?
1.0
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
155
170
310
?
270
40
35
10
12
45
20
3.0
0.8
0.85
? 1
? 2.0
215
235
430
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
nC
nC
nC
V DS = ? 20V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 1.5A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1.5A, V GS = ? 4V
I D = ? 0.75A, V GS = ? 2.5V
V DS = ? 10V, I D = ? 0.75A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f = 1MHz
I D = ? 0.75A
V DD ? 15V
V GS = ? 4.5V
R L = 20 ?
R G = 10 ?
V DD ? 15V
V GS = ? 4.5V
R L = 10 ? / R G =10 ?
I D = ? 1.5A
? Pulsed
? Body diode (source ? drain) ?
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 0.75A, V GS = 0V
? Di ?
Parameter
Forward voltage drop
Reverse current
Symbol
V F
I R
Min.
?
?
Typ.
?
?
Max.
0.49
200
Unit
V
μ A
I F = 0.7A
V R = 20V
Conditions
Rev.A
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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