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参数资料
| 型号： | QS6J11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
QS6J11
l Thermal resistance
Data Sheet
Parameter
Thermal resistance, junction - ambient
Thermal resistance, junction - ambient
Symbol
R thJA *3
R thJA *4
Min.
-
-
Values
Typ.
-
-
Max.
100
208
Unit
°C/W
°C/W
l Electrical characteristics (T a = 25°C)
<It is the same characteristics for the Tr1 and Tr2>
Parameter
Drain - Source breakdown
voltage
Symbol
V (BR)DSS
Conditions
V GS = 0V, I D = - 1mA
Min.
- 12
Values
Typ.
-
Max.
-
Unit
V
Breakdown voltage
temperature coefficient
ΔV (BR)DSS I D = - 1mA
ΔT j referenced to 25°C
-
- 17
-
mV/°C
Zero gate voltage drain current
Gate - Source leakage current
Gate threshold voltage
Gate threshold voltage
temperature coefficient
I DSS
I GSS
V GS (th)
ΔV (GS)th
ΔT j
V DS = - 12V, V GS = 0V
V GS = ? 10V, V DS = 0V
V DS = - 6V, I D = - 1mA
I D = - 1mA
referenced to 25 ? C
-
-
- 0.3
-
-
-
-
2.4
- 1
? 10
- 1.0
-
m A
m A
V
mV/°C
V GS = - 4.5V, I D = - 2A, T j =25°C
V GS = - 2.5V, I D = - 1A, T j =25°C
-
-
75
105
105
145
Static drain - source
on - state resistance
R DS(on) *5
V GS = - 1.8V, I D = - 1A, T j =25°C
-
150
225
m W
V GS = -4 .5V, I D = - 2A, T j =25°C
V GS = - 10V, I D = - 9A, T j =125°C
-
-
200
120
400
170
Gate input resistannce
Transconductance
R G
g fs *5
f = 1MHz, open drain
V DS = - 6V, I D = - 2A
-
2.0
3
4.8
-
-
W
S
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 Pw ? 10 m s, Duty cycle ? 1%
*3 Mounted on a seramic board (30×30×0.8mm)
*4 Mounted on a FR4 (15×20×0.8mm)
*5 Pulsed
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
| QS6M3TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6J1TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6J3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −1.5A) |
| QS6J3TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6K1 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch2,Vdss=30V,Id=1A,TSMT6 |
| QS6K1_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
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