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参数资料
| 型号： | QS6J11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
QS6J11
l Electrical characteristic curves
Fig.11 Drain CurrentDerating Curve
1.2
Data Sheet
Fig.12 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Gate Source Voltage
500
1
0.8
0.6
0.4
0.2
400
300
200
100
I D = - 1.0A
I D = - 2.0A
T a = 25oC
0
-25
0
25
50
75
100
125
150
0
0
2
4
6
8
10
Junction Temperature : T j [oC]
Fig.13 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Drain Current(I)
1000
Gate - Source Voltage : -V GS [V]
Fig.14 Static Drain - Source On - State
Resistance vs. Junction Temperature
140
T a = 25oC
V GS = - 1.5V
V GS = - 1.8V
V GS = - 2.5V
V GS = - 4.5V
120
100
80
100
.
60
40
20
V GS = - 4.5V
I D = - 2.0A
10
0.1
1
10
0
-50 -25
0
25
50
75
100 125 150
Drain Current : -I D [A]
Junction Temperature : T j [oC]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
| QS6M3TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6J1TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6J3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −1.5A) |
| QS6J3TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6K1 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch2,Vdss=30V,Id=1A,TSMT6 |
| QS6K1_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
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