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参数资料
| 型号： | QS6M4TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6M4DKR |
QS6M4
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOSFET
QS6M4
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Silicon N-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TSMT6
2.9
1.9
0.95 0.95
1.0MAX
0.85
0.7
Features
1) The QS6M4 combines Pch MOSFET with a Nch
(6)
(5)
(4)
0~0.1
MOSFET in a single TSMT6 package.
2) Low on-state resistance with a fast switching.
3) Low voltage drive (2.5V).
1pin mark
(1)
(2)
0.4
(3)
0.16
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : M04
Applications
Load switch, inverter
Packaging specifications
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(6)
(5)
? 1
(4)
QS6M4
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 2
? 1
? 2
(1) Tr1 (Nch) Source
(2) Tr1 (Nch) Gate
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
Symbol
V DSS
V GSS
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
Limits
Nchannel Pchannel
± 12 ± 12
± 1.5
± 6.0
0.8
6.0
30 ? 20
± 1.5
± 6.0
? 0.75
? 6.0
Unit
V
V
A
A
A
A
(1) (2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(3)
(3) Tr2 (Pch) Drain
(4) Tr2 (Pch) Source
(5) Tr2 (Pch) Gate
(6) Tr1 (Nch) Drain
Total power dissipation
Channel temperature
Storage temperature
P D ? 2
Tch
Tstg
1.25
0.9
150
? 55 to + 150
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
?
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
100
139
Unit
° C / W / TOTAL
° C / W / ELEMENT
? Mounted on a ceramic board
Rev.B
1/5
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U24TR | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
| QSB34 | PHOTODIODE GULL WING SMD |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6U22 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| QS6U22_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| QS6U22TR | 功能描述:MOSFET P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6U24 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (-30V, -1A) |
| QS6U24_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:4V Drive Pch+SBD MOS FET |
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