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参数资料
| 型号： | QS6J11TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/12页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| 产品培训模块： | MOSFETs |
| 标准包装： | 3,000 |
| FET 型： | 2 个 P 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 12V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 105 毫欧 @ 2A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 6.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 770pF @ 6V |
| 功率 - 最大： | 600mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
QS6J11
l Electrical characteristic curves
Fig.1 Power Dissipation Derating Curve
Data Sheet
Fig.2 Maximum Safe Operating Area
120
10
P W = 100 m s
100
P W = 1ms
80
1
P W = 10ms
60
40
0.1
Operation in this area
is limited by R DS (on)
( V GS = - 4.5V )
20
T a = 25oC
Single Pulse
Mounted on a ceramic board.
DC Operation
0
0
50
100
150
200
0.01
0.1
(30mm × 30mm × 0.8mm)
1
10
100
Junction Temperature : Tj [ ° C]
Fig.3 Normalized Transient Thermal
Resistance vs. Pulse Width
10
T a =25oC
Single Pulse
1
Drain - Source Voltage : -V DS [V]
Fig.4 Single Pulse Maxmum
Power dissipation
1000
T a = 25oC
Single Pulse
100
0.1
top D=1
D=0.5
D=0.1
D=0.05
D=0.01
bottom Signle
10
0.01
0.001
0.0001
Rth(ch-a)=100oC/W
Rth(ch-a)(t)=r(t) × Rth(ch-a)
Mounted on ceramic board
(30mm × 30mm × 0.8mm)
0.01 1 100
1
0.1
0.0001
0.01
1
100
Pulse Width : P W [s]
Pulse Width : P W [s]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.06 - Rev.B
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
| QS6M3TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6J1TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6J3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching (−20V, −1.5A) |
| QS6J3TR | 功能描述:MOSFET 2P-CH 20V 1.5A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6K1 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Nch2,Vdss=30V,Id=1A,TSMT6 |
| QS6K1_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Nch MOS FET |
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