- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录502 > QS6K1TR (Rohm Semiconductor)MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | QS6K1TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/4页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | 2 个 N 沟道（双） |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 238 毫欧 @ 1A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.4nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 77pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6K1DKR |
QS6K1
Transistors
2.5V Drive Nch+Nch MOS FET
QS6K1
Structure
Silicon N-channel
MOS FET
External dimensions (Unit : mm)
TSMT6
2.9
1.9
0.95 0.95
1.0MAX
0.85
0.7
Features
1) Low on-resistance.
(6)
(5)
(4)
0~0.1
2) Built-in G-S Protection Diode.
3) Small and Surface Mount Package (TSMT6).
1pin mark
(1)
(2)
0.4
(3)
0.16
Each lead has same dimensions
Application
Power switching, DC / DC converter.
Packaging specifications
Abbreviated symbol : K01
Equivalent circuit
(6)
(5)
(4)
(6)
(5)
(4)
Package
Taping
Type
Code
TR
? 2
? 2
Basic ordering unit (pieces)
3000
QS6K1
(1)
(2)
(3)
? 1
? 1
(1) Tr1 Gate
(2) Tr2 Source
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
<It is the same ratings for the Tr1 and Tr2>
(1) (2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(3)
(3) Tr2 Gate
(4) Tr2 Drain
(5) Tr1 Source
(6) Tr1 Drain
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
30
12
Unit
V
V
? A protection diode is included between the gate and
the source terminals to protect the diode against static
electricity when the product is in use. Use the protection
circuit when the fixed voltages are exceeded.
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
? 1
? 1
± 1.0
± 4.0
0.8
4.0
A
A
A
A
Total power dissipation (T C = 25 ° C)
Channel temperature
Storage temperature
P D
Tch
Tstg
? 2
1.25
0.9
150
? 55 to + 150
W / TOTAL
W / ELEMENT
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
Parameter
Symbol
Limits
Unit
Channel to ambient
Rth (ch-a)
?
100
139
° C / W / TOTAL
° C / W / ELEMENT
? Mounted on a ceramic board
Rev.B
1/3
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
| QS6M3TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U24TR | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6K21 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch MOSFET |
| QS6K21TR | 功能描述:MOSFET Med Pwr, Sw MOSFET N Chan, 45V, 1A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6M3 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Small switching |
| QS6M3_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| QS6M3TR | 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。