- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录502 > QS6M3TR (Rohm Semiconductor)MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | QS6M3TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6M3DKR |
QS6M3
Transistors
2.5V Drive Nch+Pch MOSFET
QS6M3
Structure
Silicon N-channel / P-channel MOSFET
Dimensions (Unit : mm)
TSMT6
2.9
1.0MAX
Features
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
1) Low on-resistance.
2) Built-in G-S Protection Diode.
(6)
(5)
(4)
0~0.1
3) Small Surface Mount Package (TSMT6).
(1)
(2)
(3)
1pin mark
0.4
0.16
Each lead has same dimensions
Application
Power switching, DC / DC converter.
Packaging specifications
Abbreviated symbol : M03
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(6)
? 2
(5)
? 2
(4)
QS6M3
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
? 1
? 1
(1) Tr1 (Nch) Gate
(2) Tr2 (Pch) Source
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
Tr1 : Nch Tr2 : Pch
30 ? 20
± 12
± 12
Unit
V
V
(1) (2)
? 1 ESD PROTECTION DIODE
? 2 BODY DIODE
(3)
(3) Tr2 (Pch) Gate
(4) Tr2 (Pch) Drain
(5) Tr1 (Nch) Source
(6) Tr1 (Nch) Drain
Drain current
Source current
(Body diode)
Total power dissipation
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP
I S
I SP
P D
? 1
? 1
? 2
± 1.5
± 6.0
0.8
6.0
1.25
0.9
± 1.5
± 6.0
? 0.75
? 6.0
A
A
A
A
W / TOTAL
W / ELEMENT
Channel temperature
Storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to + 150
° C
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
? 2 Mounted on a ceramic board
Thermal resistance
?
Parameter
Channel to ambient
Symbol
Rth (ch-a)
Limits
100
139
Unit
° C / W / TOTAL
° C / W / ELEMENT
? Mounted on a ceramic board
Rev.B
1/7
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U24TR | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6M4 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V)Nch(30V),1.5A2,TSMT6 |
| QS6M4_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| QS6M4TR | 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6U22 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| QS6U22_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。