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参数资料
| 型号： | QS6M3TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6M3DKR |
QS6M3
Transistors
P-ch
Measurement circuit
Pulse Width
V GS
I D
V DS
V GS
10%
50%
90%
50%
R L
R G
D.U.T.
10%
10%
V DD
V DS
t d(on)
90%
t r
t d(off)
90%
tf
t on
t off
Fig.3-1 Switching Time Measurement Circuit
Fig.3-2 Switching Waveforms
V G
I G(Const.)
V GS
I D
R L
V DS
V GS
Q g
R G
D.U.T.
Q gs
Q gd
V DD
Charge
Fig.4-1 Gate Charge Measurement Circuit
Fig.4-2 Gate Charge Waveform
Rev.B
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U22TR | MOSFET P-CH 20V 1.5A TSMT6 |
| QS6U24TR | MOSFET P-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS8K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 3.5A TSMT8 |
| QSB320FTR | PHOTOTRANSISTOR IR 880NM 2-PLCC |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6M4 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V)Nch(30V),1.5A2,TSMT6 |
| QS6M4_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| QS6M4TR | 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6U22 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| QS6U22_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
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