型号: | QS6M3TR |
厂商: | Rohm Semiconductor |
文件页数: | 8/8页 |
文件大小: | 0K |
描述: | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
产品目录绘图: | TSMT-6 Package Top |
特色产品: | ECOMOS? Series MOSFETs |
标准包装: | 1 |
FET 型: | N 和 P 沟道 |
FET 特点: | 逻辑电平门 |
漏极至源极电压(Vdss): | 30V,20V |
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: | 1.5A |
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: | 230 毫欧 @ 1.5A,4.5V |
Id 时的 Vgs(th)(最大): | 1.5V @ 1mA |
闸电荷(Qg) @ Vgs: | 1.6nC @ 4.5V |
输入电容 (Ciss) @ Vds: | 80pF @ 10V |
功率 - 最大: | 1.25W |
安装类型: | 表面贴装 |
封装/外壳: | SOT-23-6 细型,TSOT-23-6 |
供应商设备封装: | TSMT6 |
包装: | 标准包装 |
产品目录页面: | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
其它名称: | QS6M3DKR |