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参数资料
| 型号： | QS6M3TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
| 产品目录绘图： | TSMT-6 Package Top |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | N 和 P 沟道 |
| FET 特点： | 逻辑电平门 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V，20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 230 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 1.6nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 80pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 1.25W |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-6 细型，TSOT-23-6 |
| 供应商设备封装： | TSMT6 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1639 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS6M3DKR |
QS6M3
Transistors
P-ch
Electrical characteristic curves
1000
Ta = 25 ° C
f = 1MHz
V GS = 0V
C iss
1000
100
t f
Ta = 25 ° C
V DD = ? 15V
V GS = ? 4.5V
R G = 10 ?
Pulsed
8
7
6
5
Ta = 25 ° C
V DD = ? 15V
I D = ? 1.5A
R G = 10 ?
Pulsed
100
C oss
C rss
10
t d (off)
t r
t d (on)
4
3
2
1
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
0.5
1
1.5
2
2.5
3
3.5
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : ? V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
1
0.1
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
V DS = ? 10V
Pulsed
500
400
300
I D = ? 1.5A
I D = ? 0.75A
Ta = 25 ° C
Pulsed
10
1
Ta = 25 ° C
V GS = 0V
Pulsed
200
0.1
0.01
100
0.001
0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0 2.2 2.4 2.6 2.8
0
0
2
4
6
8
10
12
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : ? V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-Source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : ? V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
10000
V GS = ? 4.5V
10000
V GS = ? 4V
10000
V GS = ? 2.5V
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
1000
Ta = 125 ° C
Ta = 75 ° C
Ta = 25 ° C
Ta = ? 25 ° C
Pulsed
100
100
100
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : ? I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
Rev.B
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PDF描述 |
|---|---|
| QS6M4TR | MOSFET N+P 30,20V 1.5A TSMT6 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS6M4 | 制造商:ROHM Semiconductor 功能描述:MOSFET,Pch(20V)Nch(30V),1.5A2,TSMT6 |
| QS6M4_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Nch+Pch MOSFET |
| QS6M4TR | 功能描述:MOSFET N+P 30 20V 1.5A TSMT6 RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS6U22 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
| QS6U22_1 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:2.5V Drive Pch+SBD MOS FET |
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