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参数资料
| 型号： | QS5U34TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 20V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 1.5A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 180 毫欧 @ 1.5A，4.5V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 1.3V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 2.5nC @ 4.5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 110pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U34DKR |
QS5U34
Transistors
Electrical characteristic curves
<MOSFET>
1000
100
Ta=25 ° C
f=1MHz
V GS =0V
Ciss
1000
100
tf
td(off)
Ta=25 ° C
V DD =10V
V GS =4.5V
R G =10 ?
Pulsed
5
Ta=25 ° C
V DD =10V
I D =1.5A
4 R G =10 ?
Pulsed
3
2
10
td(on)
1
tr
Coss
Crss
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0.0 0.2
0.4 0.6 0.8 1.0 1.2 1.4 1.6 1.8 2.0
DRAIN-SOURCE VOLTAGE : V DS (V)
Fig.1 Typical Capacitance
vs. Drain-Source Voltage
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.2 Switching Characteristics
TOTAL GATE CHARGE : Qg (nC)
Fig.3 Dynamic Input Characteristics
10
1
0.1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V DS =10V
Pulsed
500
450
400
350
300
250
I D =1.5A
Ta=25 ° C
Pulsed
10
1
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS =0V
Pulsed
0.01
200
0.001
150
100
50
I D =0.8A
0.1
0.0001
0.0
0.5
1.0
1.5
2.0
0
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0.01
0.0
0.5
1.0
1.5
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.4 Typical Transfer Characteristics
GATE-SOURCE VOLTAGE : V GS (V)
Fig.5 Static Drain-Source
On-State Resistance vs.
Gate-source Voltage
SOURCE-DRAIN VOLTAGE : V SD (V)
Fig.6 Source Current vs.
Source-Drain Voltage
1000
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
V GS =1.8V
Pulsed
1000
Ta=125 ° C
75 ° C
25 ° C
V GS =2.5V
Pulsed
1000
Ta=125 ° C
75 ° C
V GS =4.5V
Pulsed
100
? 25 ° C
100
? 25 ° C
100
25 ° C
? 25 ° C
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
10
0.01
0.1
1
10
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.7 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( Ι )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.8 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙ )
DRAIN CURRENT : I D (A)
Fig.9 Static Drain-Source
On-State Resistance
vs. Drain Current ( ΙΙΙ )
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS5U36TR | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS5U36 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
| QS5U36TR | 功能描述:MOSFET N Chan20V2.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5V9912JRC | 制造商:QUALITY SEMI 功能描述: |
| QS5V991-7JR1 | 制造商:QSI 功能描述: |
| QS5V99320QC | 制造商:QUALITY 功能描述:QS5V993-2QC |
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