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参数资料
| 型号： | QS5U33TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U33TRDKR |
QS5U33
Transistor
4V Drive Pch+SBD MOSFET
QS5U33
Structure
Silicon P-channel MOSFET
Schottky Barrier DIODE
Dimensions (Unit : mm)
TSMT5
1.0MAX
2.9
1.9
0.95 0.95
0.85
0.7
Features
1) The QS5U33 combines Pch MOSFET with
(5)
(4)
0~0.1
a Schottky barrier diode in TSMT5 package.
2) Low on-state resistance with fast switching.
(1)
(2)
(3)
0.4
0.16
3) Low voltage drive (4V).
4) Built-in schottky barrier diode has low forward voltage.
Applications
Load switch, DC/DC conversion
Packaging specifications
Each lead has same dimensions
Abbreviated symbol : U33
Equivalent circuit
Type
Package
Code
Basic ordering unit (pieces)
Taping
TR
3000
(5)
? 2
(4)
QS5U33
? 1
(1)Gate
(2)Source
(1)
? 1 ESD protection diode
? 2 Body diode
(2)
(3)
(3)Anode
(4)Cathode
(5)Drain
? A protection diode has been buitt in between the gate and
the source to protect against static electricity when the product
is in use. Use the protection circuit when rated voltages are exceeded.
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS5U34TR | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
| QS5U36TR | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
| QS6J11TR | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS5U34 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch+SBD MOSFET |
| QS5U34TR | 功能描述:MOSFET N Chan20V1.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5U36 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
| QS5U36TR | 功能描述:MOSFET N Chan20V2.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5V9912JRC | 制造商:QUALITY SEMI 功能描述: |
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