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参数资料
| 型号： | QS5U33TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 2/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U33TRDKR |
QS5U33
Transistor
Absolute maximum ratings (Ta=25 ° C)
< MOSFET >
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
? 30
± 20
Unit
V
V
Drain current
Source current
(Body diode)
Continuous
Pulsed
Continuous
Pulsed
I D
I DP ? 1
I S
I SP ? 1
± 2.0
± 8.0
? 0.75
? 8.0
A
A
A
A
Channel temperature
Power dissipation
< Di >
Parameter
Repetitive peak reverse voltage
Reverse voltage
Forward current
Forward current surge peak
Junction temperature
Tch
P D ? 3
Symbol
V RM
V R
I F
I FSM ? 2
Tj
150
0.9
Limits
25
20
1.0
3.0
150
° C
W /ELEMENT
Unit
V
V
A
A
° C
Power dispation
P D
? 3
0.7
W /ELEMENT
< MOSFET AND Di >
Parameter
Total power dissipation
Range of strage temperature
Symbol
P D ? 3
Tstg
Limits
1.25
? 55 to + 150
Unit
W / TOTAL
° C
? 1 Pw ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1% ? 2 60Hz ? 1cyc. ? 3 Mounted on a ceramic board.
Electrical characteristics (Ta=25 ° C)
< MOSFET >
Parameter
Gate-source leakage
Symbol
I GSS
Min.
?
Typ.
?
Max.
± 10
Unit
μ A
Conditions
V GS = ± 20V, V DS = 0V
Drain-source breakdown voltage V (BR) DSS
? 30
?
?
V
I D = ? 1mA, V GS = 0V
?
?
Zero gate voltage drain current
Gate threshold voltage
Static drain-source on-starte
resistance
Forward transfer admittance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Turn-on delay time
Rise time
Turn-off delay time
Fall time
I DSS
V GS (th)
R DS (on)
Y fs ?
C iss
C oss
C rss
t d (on) ?
t r
t d (off) ?
t f ?
?
? 1.0
?
?
?
1.4
?
?
?
?
?
?
?
?
?
95
145
160
?
310
55
45
7
6
25
6
? 1
? 2.5
135
205
225
?
?
?
?
?
?
?
?
μ A
V
m ?
m ?
m ?
S
pF
pF
pF
ns
ns
ns
ns
V DS = ? 30V, V GS = 0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1mA
I D = ? 2A, V GS = ? 10V
I D = ? 1A, V GS = ? 4.5V
I D = ? 1A, V GS = ? 4.0V
V DS = ? 10V, I D = ? 1A
V DS = ? 10V
V GS = 0V
f=1MHz
V DD ? 15V
V GS = ? 10V
I D = ? 1A
R L 15 ?
R G 10 ?
Total gate charge
Gate-source charge
Gate-drain charge
Q g
Q gs
Q gd
?
?
?
?
?
?
3.4
1.0
1.3
?
?
?
nC
nC
nC
V DD ? 15V
V GS = ? 5V
I D = ? 2A
R L 7.5 ?
R G 10 ?
? Pulsed
< MOSFET > Body diode (Source-drain)
Parameter
Forward voltage
Symbol
V SD
Min.
?
Typ.
?
Max.
? 1.2
Unit
V
Conditions
I S = ? 0.75V , V GS = 0V
< Di >
Parameter
Forward voltage
Reverse current
Symbol
V F
I R
Min.
?
?
Typ.
?
?
Max.
0.45
200
Unit
V
μ A
I F = 1.0V
V R = 20V
Conditions
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
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| QS5U34TR | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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| QS5V9912JRC | 制造商:QUALITY SEMI 功能描述: |
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