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参数资料
| 型号： | QS5U33TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U33TRDKR |
QS5U33
Transistor
1000
100
10
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 20 ° C
100
10
1
0.1
125 ° C
75 ° C
25 ° C
0.01
1
0.1
0.001
0.0001
? 20 ° C
0
0.1
0.2
0.3
0.4
0.5
0.6
0
10
20
30
40
Forward Voltage : V F [ V ]
Fig.10 Forward Temperature Characteristics
Reverse Voltage : V R [ V ]
Fig.11 Reverse Temperature Characteristics
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相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS5U34TR | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
| QS5U36TR | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
| QS6J11TR | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS5U34 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch+SBD MOSFET |
| QS5U34TR | 功能描述:MOSFET N Chan20V1.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5U36 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
| QS5U36TR | 功能描述:MOSFET N Chan20V2.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5V9912JRC | 制造商:QUALITY SEMI 功能描述: |
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