- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录502 > QS5U33TR (Rohm Semiconductor)MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | QS5U33TR |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET P-CH 30V 2A TSMT5 |
| 产品目录绘图： | QS5x Series TSMT-5 |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 1 |
| FET 型： | MOSFET P 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 二极管（隔离式） |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 30V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 2A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 135 毫欧 @ 2A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 2.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 3.4nC @ 5V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 310pF @ 10V |
| 功率 - 最大： | 900mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | SOT-23-5 细型，TSOT-23-5 |
| 供应商设备封装： | TSMT5 |
| 包装： | 标准包装 |
| 产品目录页面： | 1638 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QS5U33TRDKR |
QS5U33
Transistor
Electrical characteristic curves
10
V DS = ? 10V
1000
V GS = ? 10V
1000
V GS = ? 4.5V
1
Pulsed
Pulsed
Pulsed
0.1
0.01
0.001
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
100
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
100
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
0.0001
0
0.5
1.0
1.5
2.0
2.5
3.0
3.5
4.0
10
0.1
1
10
10
0.1
1
10
Gate ? Source Voltage : ? V GS [ V ]
Fig.1 Typical Transfer Characteristics
Drain Current : ? I D [ A ]
Fig.2 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Drain Current
Drain Current : ? I D [ A ]
Fig.3 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Drain Current
1000
100
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS = ? 4.0V
Pulsed
400
350
300
250
200
150
I D=? 1A
? 2A
Ta=25 C
Pulsed
10
1
0.1
Ta = 125 ° C
75 ° C
25 ° C
? 25 ° C
V GS =0V
Pulsed
100
50
10
0.1
1 10
Drain Current : ? I D [ A ]
Fig.4 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Drain ? Current
0
0 5 10 15
Gate ? Source Voltage : ? V GS [ V ]
Fig.5 Static Drain ? Source On ? State
Resistance vs.Gate ? Source Voltage
0.01
0
0.5 1.0
Source ? Drain Voltage : ? V SD [ V ]
Fig.6 Reverse Drain Current
vs. Source-Drain Current
1.5
1000
Ta=25 C
f=1MHZ
V GS =0V
C iss
1000
100
t f
Ta=25 C
V DD = ? 15V
V GS = ? 10V
R G =10 ?
Pulsed
10
8
6
Ta=25 C
V DD = ? 15V
I D = ? 1A
R G =10 ?
Pulsed
100
t d ( off )
t r
4
C oss
C rss
10
t d ( on )
2
10
0.01
0.1
1
10
100
1
0.01
0.1
1
10
0
0
1
2
3
4
5
6
Drain ? Source Voltage : ? V DS [ V ]
Fig.7 Typical Capactitance
vs.Drain ? Source Voltage
Drain Current : ? I D [ A ]
Fig.8 Switching Characteristics
Total Gate Charge : Qg [ nC ]
Fig.9 Dynamic Input Characteristics
3/4
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QS5U34TR | MOSFET N-CH 20V 1.5A TSMT5 |
| QS5U36TR | MOSFET N-CH 20V 2.5A TSMT5 |
| QS6J11TR | MOSFET 2P-CH 12V 2A TSMT6 |
| QS6K1TR | MOSFET 2N-CH 30V 1A TSMT6 |
| QS6K21TR | MOSFET N-CH 45V 1A TSMT6 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QS5U34 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.8V Drive Nch+SBD MOSFET |
| QS5U34TR | 功能描述:MOSFET N Chan20V1.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5U36 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:1.5V Drive Nch+SBD MOSFET |
| QS5U36TR | 功能描述:MOSFET N Chan20V2.5A Load Switching RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| QS5V9912JRC | 制造商:QUALITY SEMI 功能描述: |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。