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参数资料
| 型号： | QRE1113GR |
| 厂商： | Fairchild Semiconductor |
| 文件页数： | 7/8页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | SENSOR OPTO TRANS REFL SMD PHOTO |
| 产品目录绘图： | QRE1113 Series QRE Series Schematic |
| 标准包装： | 1 |
| 检测距离： | 0.197"（5mm） |
| 检测方法： | 反射 |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 20mA |
| 电流 - DC 正向(If)： | 50mA |
| 输出类型： | 光电晶体管 |
| 响应时间： | 20µs，20µs |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | 4-SMD |
| 包装： | 标准包装 |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 产品目录页面： | 2777 (CN2011-ZH PDF) |
| 其它名称： | QRE1113GRDKR |
Reel Dimensions
2.2 ± 0.5
?178.0 ± 1.0
?60.0 ± 0.5
?13.0 ± 0.5
9.0 ± 0.5
12.0 ± 0.15
Re?ow Pro?le
260°C max. for 10 sec. max.
1°C to 5°C/sec
260°C
Pre-heating
220°C
1°C to 5°C/sec
180°C to 200°C
60 sec. max.
above 220°C
120 sec. max.
Time (seconds)
Note: Reflow soldering should not be done more than twice.
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QRE1113, QRE1113GR Rev. 1.7.1
7
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QRM85BXXG02E | LED PMI REAR MOUNT GREEN |
| QS5K2TR | MOSFET 2N-CH 30V 2A TSMT5 |
| QS5U12TR | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| QS5U13TR | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
| QS5U16TR | MOSFET N-CH 30V 2A TSMT5 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QRE1113GR | 制造商:Fairchild Semiconductor Corporation 功能描述:Reflective Object Sensor |
| QRE1113GR_Q | 功能描述:光学开关（反射型，光电晶体管输出） Reflective Sensor RoHS:否 制造商:Fairchild Semiconductor 感应距离:1 mm 输出设备:Phototransistor 集电极—发射极最大电压 VCEO:30 V 最大集电极电流:20 mA 正向电压:1.2 V 反向电压:5 V 最大工作温度:+ 85 C 最小工作温度:- 25 C 安装风格:SMD/SMT 封装:Reel |
| QRE1113GR-CUT TAPE | 制造商:FAIRCHILD 功能描述:QRE1113 Series 30 V 50 mA Miniature Reflective Object Sensor - SMD-4 |
| QRE1230R30 | 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Super Fast Recovery Diode Modules 210 Amperes/1200 Volts |
| QRE1240R30 | 制造商:POWEREX 制造商全称:Powerex Power Semiconductors 功能描述:Super Fast Recovery Diode Modules 280 Amperes/1200 Volts |
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