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参数资料
| 型号： | QM20TG9B |
| 英文描述： | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | 3-PH BRIDGE | DARLINGTON | 450V V(BR)CEO | 20A I(C) |
| 中文描述： | 晶体管|晶体管电源模块| 3 - PH值大桥|达林顿| 450V五（巴西）总裁|甲一（c） |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 524K |
| 代理商： | QM20TG9B |
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QM1600S | ASIC |
| QM200DY-24B | HIGH POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM200DY-2HB | CAP, 10UF, CER, ?20%, Y5V, 10V, 1206 |
| QM200DY-2H | CAP CER 10UF 10V Y5V 1206 |
| QM200DY24 | TRANSISTOR | BJT POWER MODULE | HALF BRIDGE | DARLINGTON | 1.2KV V(BR)CEO | 200A I(C) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QM20TG-9B | 制造商:MITSUBISHI 制造商全称:Mitsubishi Electric Semiconductor 功能描述:MEDIUM POWER SWITCHING USE INSULATED TYPE |
| QM2409K | 制造商:UBIQ 功能描述: |
| QM2410K | 制造商:UBIQ 功能描述: |
| QM2421K | 制造商:UBIQ 功能描述: |
| QM2423K | 制造商:UBIQ 功能描述: |
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