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参数资料
| 型号： | QSB320 |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 1/3页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2-PLCC |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 35V |
| 电流 - 集电极 (Ic)（最大）： | 15mA |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 200nA |
| 波长： | 880nm |
| 视角： | 120° |
| 功率 - 最大： | 165mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-PLCC |
QSB320
SURFACE MOUNT SILICON
INFRARED PHOTOTRANSISTOR
PACKAGE DIMENSIONS
0.118 (3.0)
0.102 (2.6)
0.083 (2.1)
0.067 (1.7)
0.091 (2.3)
0.083 (2.1)
0.035 (0.9)
0.041 (0.1)
0.028 (0.7)
0.134 (3.4)
0.118 (3.0)
0.094 (2.4)
0.043 (1.1)
FEATURES
SCHEMATIC
0.020 (0.5)
? Surface Mount PLCC-2 Package
COLLECTOR
COLLECTOR
NOTES:
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.007 (.18)
0.005 (.12)
? Wide Reception Angle, 120 °
? High Sensitivity
? Phototransistor Output
? Matched Emitter: QEB421
EMITTER
1. Dimensions for all drawings are in inches (millimeters).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
NOTES
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T A = 25°C unless otherwise specified)
1. Derate power dissipation linearly
Parameter
Operating Temperature
Storage Temperature
Soldering Temperature (Flow) (2,3)
Symbol
T OPR
T STG
T SOL-F
Rating
-55 to +100
-55 to +100
260 for 10 sec
Unit
°C
°C
°C
2.2 mW/°C above 25°C.
2. RMA flux is recommended.
3. Methanol or isopropyl alcohols
are recommended as cleaning
agents.
Collector Emitter Voltage
Emitter Collector Voltage
Collector Current
Power Dissipation (1)
V CE
V EC
I C
P D
35
5
15
165
V
V
mA
mW
4.
= 940 nm.
ELECTRICAL / OPTICAL CHARACTERISTICS
(T A =25°C)
PARAMETER
Peak Sensitivity Wavelength
Wavelength Sensitivity Range
Reception Angle
Collector Emitter Dark Current
Collector Emitter Breakdown
Emitter Collector Breakdown
On-State Collector Current
Saturation Voltage
Rise Time
Fall Time
TEST CONDITIONS
V CE = 25 V, E e = 0
I C = 1 mA
I E = 100 μA
E e = 0.1 mW/cm 2 (4) , V CE = 5 V
E e = 0.5 mW/cm 2 (4) , I C = 0.05 mA
V CC = 5 V, R L = 100
I C = 1 mA
SYMBOL
PS
SR
I D
BV CEO
BV ECO
I C (ON)
V CE (SAT)
t r
t f
MIN
—
400
—
—
30
5
16
—
—
—
TYP
880
—
120
—
—
—
—
—
8
8
MAX
—
1000
—
200
—
—
—
0.3
—
—
UNITS
nm
nm
Deg.
nA
V
V
μA
V
μs
μs
? 2001 Fairchild Semiconductor Corporation
DS300386 2/26/01
1 OF 3
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| OP804TXV | PHOTOTRANS SILICON NPN TO-18 |
| OP803TXV | PHOTOTRANS SILICON NPN TO-18 |
| 636L3I004M00000 | OSCILLATOR 4.0 MHZ 3.3V SMD |
| 636L3I001M84320 | OSCILLATOR 1.8432 MHZ 3.3V SMD |
| OP805TX | PHOTOTRANSISTR SILICON NPN TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB320_Q | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB320F | 制造商:FAIRCHILD 制造商全称:Fairchild Semiconductor 功能描述:SURFACE MOUNT SILICON INFRARED PHOTOTRANSISTOR |
| QSB320FTR | 功能描述:光电晶体管 Silicon Infrared Phototransistor RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB320TR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor SMD Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB34 | 功能描述:光电二极管 PHOTOSENSOR PIN DIODE SMT RoHS:否 制造商:Vishay Semiconductors 产品:Photodiodes 反向电压:10 V 最大暗电流:30 nA 峰值波长:565 nm 上升时间:3.1 us 下降时间:3 us 半强度角度:50 deg 封装 / 箱体:TO-5 |
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