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参数资料
| 型号： | QSB363CGR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 4/5页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM |
| 标准包装： | 1,000 |
| 系列： | * |
| 电压 - 集电极发射极击穿（最大）： | 30V |
| 电流 - 暗 (Id)（最大）： | 100nA |
| 波长： | 940nm |
| 视角： | 24° |
| 功率 - 最大： | 75mW |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 方向： | 顶视图 |
| 封装/外壳： | 2-SMD，鸥翼型 |
Package Dimensions
Features
■ Three lead forming options: Gull Wing, Yoke and Z-Bend
■ Compatible with automatic placement equipment
■ Supplied on tape and reel or in bulk packaging
■ Compatible with vapor phase reflow solder processes
Gull Wing Lead Configuration
Z-Bend Lead Configuration
?0.075 ± 0.008
(?1.9 ± 0.2)
0.098 ± 0.004
(2.5 ± 0.1)
CL
Emitter
?0.075 ± 0.008
(1.9 ± 0.2)
0.098 ± 0.004
(2.5 ± 0.1)
CL
Emitter
0.157 ± 0.008
(4.0 ± 0.2)
0.043 ± 0.008 0.055 ± 0.008
(1.1 ± 0.2) (1.4 ± 0.2)
R0.031 ± .004
(0.8 ± 0.1)
0.051 ± 0.004
(1.3 ± 0.1)
0.043 ± 0.008 0.055 ± 0.008
R0.031 ± .004 (1.1 ± 0.2) (1.4 ± 0.2)
(0.8 ± 0.1)
0.051 ± 0.004
(1.3 ± 0.1)
0.032 +0.005
(0.83 –0
)
0.023 +0.005
(0.6 –0
)
–0
+0.13
0.012 ± 0.004
(0.3 ± 0.1)
0.029 ± 0.004
(0.75 ± 0.1)
0.055 ± 0.004
(1.4 ± 0.1)
–0
+0.13
0.12 ± 0.008
(3.05 ± 0.2)
0.169 ± 0.008 (4.3 ± 0.2)
0.228 ± 0.008 (5.8 ± 0.2)
0.055 ± 0.004
(1.4 ± 0.1)
0.029 ± 0.004
(0.75 ± 0.1)
Yoke Lead Configuration
?0.075 ± 0.008
(1.9 ± 0.2)
0.098 ± 0.004
(2.5 ± 0.1)
CL
Emitter
R0.016 ± .004
(0.4 ± 0.1)
0.043 ± 0.008 0.055 ± 0.008
(1.1 ± 0.2) (1.4 ± 0.2)
R0.031 ± .004
(0.8 ± 0.1)
0.051 ± 0.004
(1.3 ± 0.1)
0.185 ± 0.008 (4.7 ± 0.2)
0.291 ± 0.008 (7.4 ± 0.2)
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363C Rev. 1.0.3
0.029 ± 0.004
(0.75 ± 0.1)
0.055 ± 0.004
(1.4 ± 0.1)
4
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| QSB320TR | IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2PLCC TR |
| 219-8MST | SWITCH TAPE SEAL 8 POS SMD |
| SH196S36 | MINI-MZR SHLD SKT STR SGL END |
| QSB320 | IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2-PLCC |
| OP804TXV | PHOTOTRANS SILICON NPN TO-18 |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB363CYR | 功能描述:光电晶体管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363CZR | 功能描述:光电晶体管 T-3/4 PHOTO SENSOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363GR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363YR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB363ZR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
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