参数资料
型号: QSB363CZR
厂商: Fairchild Optoelectronics Group
文件页数: 1/5页
文件大小: 0K
描述: PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM
标准包装: 1,000
系列: *
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 暗 (Id)(最大): 100nA
波长: 940nm
视角: 24°
功率 - 最大: 75mW
安装类型: 表面贴装
方向: 顶视图
封装/外壳: 2-SMD,Z形弯曲d
March 2011
QSB363C
Subminiature Plastic Silicon Infrared Phototransistor
Features
■ NPN Silicon Phototransistor
■ T-3/4 (2mm) Surface Mount Package
■ Medium Wide Beam Angle, 24°
■ Clear Plastic Package
■ Matched Emitters: QEB363 or QEB373
■ Tape & Reel Option (See Tape & Reel Specifications)
■ Lead Form Options: Gullwing, Yoke, Z-Bend
Package Dimensions
0.276 (7.0)
Description
The QSB363 is a silicon phototransistor encapsulated in
a clear infrared T-3/4 package.
EMITTER
MIN
0.087 (2.2)
0.071 (1.8)
0.024 (0.6)
0.016 (0.4)
0.074 (1.9)
0.019 (0.5)
0.012 (0.3)
.059 (1.5)
.118 (3.0)
.102 (2.6)
.051 (1.3)
0.055 (1.4)
Schematic
COLLECTOR
0.008 (0.21)
0.004 (0.11)
NOTES:
0.106 (2.7)
0.091 (2.3)
0.024 (0.6)
EMITTER
1. Dimensions are in inches (mm).
2. Tolerance of ± .010 (.25) on all non nominal dimensions
unless otherwise specified.
?2011 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363C Rev. 1.0.3
www.fairchildsemi.com
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PDF描述
QSB363CGR PHOTOTRANSISTOR IR GULL WING 5MM
QSB320TR IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2PLCC TR
219-8MST SWITCH TAPE SEAL 8 POS SMD
SH196S36 MINI-MZR SHLD SKT STR SGL END
QSB320 IC PHOTOTRANS IR 120DEG 2-PLCC
相关代理商/技术参数
参数描述
QSB363GR 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
QSB363YR 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
QSB363ZR 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1
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