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参数资料
| 型号： | QSB363YR |
| 厂商： | Fairchild Optoelectronics Group |
| 文件页数： | 3/6页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC PHOTOTRANS IR 940NM 1.9MM YOK |
| 标准包装： | 1,000 |
| 电流 - DC 正向(If)： | 100mA |
| 波长： | 940nm |
| 视角： | 24° |
| 方向： | 顶视图 |
| 安装类型： | 表面贴装 |
| 封装/外壳： | T 3/4 |
| 包装： | 带卷 (TR) |
Typical Performance Characteristics
Figure 1. Collector Power Dissipation vs. Ambient
Temperature
Figure 3. Relative Collector Current vs. Ambient
Temperature
Figure 5. Collector Dark Current vs. Ambient
Temperature
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
QSB363 / QSB363GR / QSB363YR / QSB363ZR Rev. 1.1.0
3
Figure 2. Spectral Sensitivity
Figure 4. Collector Current vs. Irradiance
Figure 6. Collector Current vs. Collector Emitter
Voltage
www.fairchildsemi.com
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| P51-3000-S-N-M12-20MA | SENSOR 3000PSIS 1.2 UNF 4-20 MA |
| QEB373 | LED IR EMITTING 940NM 2MM SMD |
| P51-2000-S-N-M12-20MA | SENSOR 2000PSIS 1.2 UNF 4-20 MA |
| P51-1500-S-N-M12-20MA | SENSOR 1500PSIS 1.2 UNF 4-20 MA |
| P51-1000-S-N-M12-20MA | SENSOR 1000PSIS 1.2 UNF 4-20 MA |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| QSB363ZR | 功能描述:光电晶体管 Phototransistor Si Infrared RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB373ZR | 功能描述:光电晶体管 T-3- 4 PHOTO XSTR DETECTOR RoHS:否 制造商:OSRAM Opto Semiconductors 最大功率耗散:165 mW 最大暗电流:200 nA 封装 / 箱体:T-1 |
| QSB-40-01 | 功能描述:风扇电线及配件 40mm EMI FILTR SHLD RoHS:否 制造商:ebm-papst 类型:Finger Guard 适合风扇大小:120 mm 系列: |
| QSB-40-01 | 制造商:Qualtek Electronics Corporation 功能描述:EMI FILTER SHIELD |
| QSB40024S05 | 功能描述:DC/DC CONVERTER 制造商:xp power 系列:QSB 包装:盒 零件状态:在售 类型:隔离模块 输出数:1 电压 - 输入（最小值）:9V 电压 - 输入（最大值）:36V 电压 - 输出 1:5V 电压 - 输出 2:- 电压 - 输出 3:- 电流 - 输出（最大值）:80A 功率（W）:400W 电压 - 隔离:1.5kV 应用:ITE（商业） 特性:远程开/关，OCP，OTP，OVP，SCP 工作温度:-40°C ~ 100°C 效率:87.5% 安装类型:通孔 封装/外壳:16-DIP 模块 大小/尺寸:4.60" 长 x 2.40" 宽 x 0.50" 高（116.8mm x 61.0mm x 12.7mm） 控制特性:使能，高电平有效 标准包装:1 |
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