参数资料
型号: QTLP610CPDTR
厂商: Fairchild Semiconductor
文件页数: 3/6页
文件大小: 0K
描述: EMITTER RA 940NM SMD
标准包装: 1
电压 - 集电极发射极击穿(最大): 30V
电流 - 集电极 (Ic)(最大): 500µA
电流 - 暗 (Id)(最大): 100nA
波长: 860nm
视角: 160°
功率 - 最大: 75mW
安装类型: 表面贴装
方向: 侧视图
封装/外壳: 2-SMD,无引线
其它名称: QTLP610CPDFSDKR
QTLP610CPDTRFSDKR
QTLP610CPDTRFSDKR-ND
RIGHT ANGLE SURFACE
MOUNT INFRARED
PHOTOTRANSISTOR
QTLP610CPD
TYPICAL PERFORMANCE CURVES
Fig. 1 Collector Power Dissipation vs.
Ambient Temperature
100
80
60
40
20
0
10 6
5
2
10 7
5
2
10 8
5
2
10 9
5
2
10 10
Fig. 2 Collector Dark Current vs.
Ambient Temperature
-25
0
25
50
75 85 100
0
25
50
75
100
Ambient Temperature T A ( ° C)
Fig. 3 Relative Collector Current vs.
Ambient Temperature
Ambient Temperature T A ( ° C)
Fig. 4 Collector Current
vs. Irradiance
160
140
120
100
80
60
40
20
0
V CE = 5 V
Ee=1 mW/cm 2
4.0
3.5
3.0
2.5
2.0
1.5
1.0
0.5
0
V CE = 5 V
Ta = 25 ° C
–25
–10
0
10
20
30
40
50
60
70
0
1
2
3
4
5
1.0
Ambient Temperature T A ( ° C)
Fig. 5 Spectral Sensitivity
3.5
Irradiance Ee (mW/cm 2 )
Fig. 6 Collector Current vs.
Collector-Emitter Voltage
3
0.8
2.0
H=2.0mW/cm 2
0.6
0.4
2
1.5
1
H=1.5mW/cm 2
H=1.0mW/cm 2
0.2
0.5
H=0.5mW/cm 2
0
0
300
500
700
900
11000
1300
0
1
2
3
4
Wavelength λ (nm)
Collector-Emitter Voltage VCE (V)
? 2005 Fairchild Semiconductor Corporation
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