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参数资料
| 型号： | R6008ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6008ANX
Nch 600V 8A Power MOSFET
? Outline
Datasheet
V DSS
R DS(on) (Max.)
I D
P D
? Features
1) Low on-resistance.
600V
0.8 ?
8A
50W
TO-220FM
? Inner circuit
(1)(2)(3)
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (V GSS ) guaranteed to be ± 30V.
4) Drive circuits can be simple.
5) Parallel use is easy.
6) Pb-free lead plating ; RoHS compliant
? Packaging specifications
(1) Gate
(2) Drain
(3) Source
*1 Body Diode
Packing
Reel size (mm)
Bulk
-
? Application
Switching Power Supply
Type
Tape width (mm)
Basic ordering unit (pcs)
Taping code
Marking
-
500
-
R6008ANX
? Absolute maximum ratings (T a = 25 ° C)
Parameter
Drain - Source voltage
Symbol
V DSS
Value
600
Unit
V
Continuous drain current
Pulsed drain current
Gate - Source voltage
Avalanche energy, single pulse
T c = 25 ° C
T c = 100 ° C
I D *1
I D *1
I D,pulse *2
V GSS
E AS *3
± 8
± 3.8
± 32
± 30
4.3
A
A
A
V
mJ
Avalanche energy, repetitive
E AR
*4
3.4
mJ
Avalanche current
Power dissipation (T c = 25 ° C)
Junction temperature
Range of storage temperature
Reverse diode dv/dt
I AR *3
P D
T j
T stg
dv/dt *5
4
50
150
? 55 to + 150
15
A
W
° C
° C
V/ns
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/13
2012.01 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6010ANX | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
| R6012ANX | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM |
| R6015ANX | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
| R6020ANX | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM |
| R8002ANX | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6008ANX_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 8A Power MOSFET |
| R6008FNJ | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:10V Drive Nch MOSFET |
| R6008FNJTL | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| R6008FNX | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| R6009 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:6000 Series 4.330 " x 500 ' Thermal Printer Ribbon with Black Resistant Ink 1 ea |
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