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参数资料
| 型号： | R6008ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6008ANX
? Electrical characteristics (T a = 25 ° C)
Values
Data Sheet
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Transconductance
Input capacitance
Output capacitance
Reverse transfer capacitance
Effective output capacitance,
energy related
Effective output capacitance,
time related
g fs *6
C iss
C oss
C rss
C o(er)
C o(tr)
V DS = 10V, I D = 4.0A
V GS = 0V
V DS = 25V
f = 1MHz
V GS = 0V,
V DS = 0V to 480V
2.5
-
-
-
-
-
5.0
680
450
35
36.5
36.7
-
-
-
-
-
-
S
pF
pF
Turn - on delay time
t d(on)
*6
V DD ? 300V, V GS = 10V
-
25
-
t r
Rise time
Turn - off delay time
Fall time
*6
t d(off)
*6
t f
*6
I D = 4A
R L = 75 ?
R G = 10 ?
-
-
-
25
60
35
-
120
70
ns
? Gate Charge characteristics (T a = 25 ° C)
Values
Parameter
Symbol
Conditions
Min.
Typ.
Max.
Unit
Total gate charge
Q g *6
V DD ? 300V
-
21
-
Gate - Source charge
Q gs *6
I D = 8A
-
5
-
nC
Gate - Drain charge
Q gd
*6
V GS = 10V
-
10
-
Gate plateau voltage
V (plateau)
V DD ? 300V, I D = 8A
-
6.0
-
V
*1 Limited only by maximum temperature allowed.
*2 PW ≤ 10 μ s, Duty cycle ≤ 1%
*3 L ? 500 μ H, V DD = 50V, R G = 25 ? , starting T j = 25 ° C
*4 L ? 500 μ H, V DD = 50V, R G = 25 ? , starting T j = 25 ° C, f = 10kHz
*5 Reference measurement circuits Fig.5-1.
*6 Pulsed
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.01 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
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