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参数资料
| 型号： | R6008ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 8/14页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 8A |
| 开态Rds（最大）@ Id, Vgs @ 25° C： | 800 毫欧 @ 4A，10V |
| Id 时的 Vgs(th)（最大）： | 4.5V @ 1mA |
| 闸电荷(Qg) @ Vgs： | 21nC @ 10V |
| 输入电容 (Ciss) @ Vds： | 680pF @ 25V |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6008ANX
? Electrical characteristic curves
Fig.11 Breakdown Voltage
vs. Junction Temperature
900
850
800
750
Data Sheet
Fig.12 Typical Transfer Characteristics
100
V DS = 10V
Pulsed
10
T a = 125oC
T a = 75oC
700
650
600
550
500
1
0.1
0.01
T a = 25oC
T a = -25oC
-50
0
50
100
150
0.0
1.5
3.0
4.5
6.0
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Fig.13 Gate Threshold Voltage
vs. Junction Temperature
6
Gate - Source Voltage : V GS [V]
Fig.14 Transconductance vs. Drain Current
100
5
V DS = 10V
I D = 1mA
10
V DS = 10V
Pulsed
4
1
3
0.1
2
T a = -25oC
T a = 25oC
1
0
0.01
0.001
T a = 75oC
T a = 125oC
-50
0
50
100
150
0.001
0.01
0.1
1
10
100
Junction Temperature : T j [ ° C ]
Drain Current : I D [A]
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.01 - Rev.C
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6010ANX | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
| R6012ANX | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM |
| R6015ANX | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
| R6020ANX | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM |
| R8002ANX | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6008ANX_12 | 制造商:ROHM 制造商全称:Rohm 功能描述:Nch 600V 8A Power MOSFET |
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| R6008FNX | 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS（导通）:0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube |
| R6009 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:6000 Series 4.330 " x 500 ' Thermal Printer Ribbon with Black Resistant Ink 1 ea |
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