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参数资料
| 型号： | R6010ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 1/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
Data Sheet
10V Drive Nch MOSFET
R6010ANX
? Structure
Silicon N-channel MOSFET
? Dimensions (Unit : mm)
TO-220FM
10.0
φ 3.2
4.5
2.8
? Features
1) Low on-resistance.
2) Fast switching speed.
3) Gate-source voltage (V GSS ) guaranteed to be ±30V.
(1) Gate
1.3
1.2
0.8
4) Drive circuits can be simple.
(2) Drain
2.54
(1) (2) (3)
2.54
0.75
2.6
5) Parallel use is easy.
? Application
Switching
? Packaging specifications
Package
Bulk
(3) Source
? Inner circuit
Type
Code
-
R6010ANX
Basic ordering unit (pieces)
500
?
? 1
(1) Gate
(1)
(2)
(3)
(2) Drain
? Absolute maximum ratings (Ta = 25 ? C)
(3) Source
? 1 BODY DIODE
Parameter
Drain-source voltage
Gate-source voltage
Symbol
V DSS
V GSS
Limits
600
? 30
Unit
V
V
Drain current
Continuous
Pulsed
I D *3
I DP *1
? 10
? 40
A
A
Source current
(Body Diode)
Avalanche current
Avalanche energy
Power dissipation
Continuous
Pulsed
I S
I SP
I AS
E AS
P D
*3
*1
*2
*2
*4
10
40
5
6.5
50
A
A
A
mJ
W
Channel temperature
Range of storage temperature
Tch
Tstg
150
? 55 to ? 150
? C
? C
*1 Pw ? 10 ? s, Duty cycle ? 1%
*2 L
500 ? H, V DD =50V, R G =25 ? , Starting, T ch =25 ? C
*3 Limited only by maximum temperature allowed.
*4 T C =25 ? C
? Thermal resistance
Parameter
Channel to Case
Symbol
Rth (ch-c)
Limits
2.5
Unit
? C / W
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
1/6
2011.10 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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