- 您现在的位置：买卖IC网 > Datasheet目录503 > R6010ANX (Rohm Semiconductor)MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM Datasheet资料下载
参数资料
| 型号： | R6010ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 5/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6010ANX
Fig.13 Reverse Recovery Time vs. Source Current
1000
T a =25 ° C
V gs =0V
di/dt=100A/us
Pulsed
100
10
Fig.14 Maximum Safe Operating Area
Data Sheet
100
1
0.1
Operation in this area
is limited by R DS(on)
(V GS = 10V)
P W = 100μs
P W = 1ms
P W = 10ms
10
0
1
10
100
0.01
0.1
T a =25 ° C
Single Pulse
1
10
100
1000
Source Current : I S [A]
Fig.15 Normalized Transient Thermal Resistance v.s. Pulse Width
10
T a =25 ° C
Single Pulse
1
0.1
0.01
0.001
Rth (ch-a) =52.3 ° C/W
Rth (ch-a) (t)=r(t) × Rth(ch-a)
Drain-Source Voltage : V DS [ V ]
0.0001
0.0001
0.001
0.01
0.1
1
10
100
1000
Pulse width : Pw (s)
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
5/6
2011.10 - Rev.A
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R6012ANX | MOSFET N-CH 600V 12A TO-220FM |
| R6015ANX | MOSFET N-CH 600V 15A TO-220FM |
| R6020ANX | MOSFET N-CH 600V 20A TO-220FM |
| R8002ANX | MOSFET N-CH 800V 2A TO-220FM |
| R8008ANX | MOSFET N-CH 800V 8A TO-220FM |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R6011 | 制造商:Brady Corporation 功能描述:0.800" x 984' Thermal Transfer Ribbon |
| R6011225XXYA | 功能描述:RECTIFIER 1200V 250A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| R6011230XXYA | 功能描述:RECTIFIER 1200V 300A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
| R60113100JF30K | 制造商:n/a 功能描述:R60104K250BIV NISSEI-ARCOTRONICS S3F8C |
| R6011425XXYA | 功能描述:RECTIFIER 1400V 250A DO-9 RoHS:是 类别:分离式半导体产品 >> 单二极管/整流器 系列:- 标准包装:100 系列:- 二极管类型:标准 电压 - (Vr)（最大）:50V 电流 - 平均整流 (Io):6A 电压 - 在 If 时为正向 (Vf)（最大）:1.4V @ 6A 速度:快速恢复 = 200mA（Io） 反向恢复时间(trr):300ns 电流 - 在 Vr 时反向漏电:15µA @ 50V 电容@ Vr, F:- 安装类型:底座，接线柱安装 封装/外壳:DO-203AA，DO-4，接线柱 供应商设备封装:DO-203AA 包装:散装 其它名称:*1N3879 |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。