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参数资料
| 型号： | R6010ANX |
| 厂商： | Rohm Semiconductor |
| 文件页数： | 3/7页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | MOSFET N-CH 600V 10A TO-220FM |
| 产品目录绘图： | TO-220FM, TO-220FN |
| 特色产品： | ECOMOS? Series MOSFETs |
| 标准包装： | 500 |
| FET 型： | MOSFET N 通道，金属氧化物 |
| FET 特点： | 标准 |
| 漏极至源极电压(Vdss)： | 600V |
| 电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C： | 10A |
| 功率 - 最大： | 50W |
| 安装类型： | 通孔 |
| 封装/外壳： | TO-220-3 整包 |
| 供应商设备封装： | TO-220FM |
| 包装： | 散装 |
R6010ANX
? Electrical characteristic curves (Ta=25 ? C)
Fig.1 Typical Output Characteristics ( Ⅰ )
3
10
Data Sheet
Fig.2 Typical Output Characteristics ( Ⅱ )
T a =25 ° C
Pulsed
V GS =10.0V
T a =25 ° C
Pulsed
V GS =7.0V
8
V GS =10.0V
V GS =7.0V
2
V GS =6.0V
V GS =5.0V
6
4
V GS =6.0V
V GS =5.0V
1
2
V GS =4.0V
V GS =4.0V
0
0
0.2
0.4
0.6
0.8
1
0
0
2
4
6
8
10
100
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Fig.3 Typical Transfer Characteristics
5
Drain-Source Voltage : V DS [V]
Fig.4 Gate Threshold Voltage vs. Channel Temperature
10
1
0.1
0.01
V DS =10V
pulsed
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
4
3
2
1
V DS =10V
I D =1mA
pulsed
0.001
0
1
2
3
4
5
6
7
8
9
10
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Gate-Source Voltage : V GS [V]
Fig.5 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Drain Current
Channel Temperature : Tch [ ℃ ]
Fig.6 Static Drain-Source On-State Resistance vs. Channel Temperature
10
1
T a =125 ° C
T a =75 ° C
T a =25 ° C
T a = - 25 ° C
V GS =10V
pulsed
1.2
1
0.8
V GS =10V
pulsed
I D =10A
0.6
I D =5A
0.1
0.4
0.2
0.01
0.1
1
10
100
0
-50
-25
0
25
50
75
100
125
150
Drain Current : I D [A]
Channel Temperature : T ch [ ℃ ]
www.rohm.com
? 2011 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2011.10 - Rev.A
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