参数资料
型号: R6008ANX
厂商: Rohm Semiconductor
文件页数: 13/14页
文件大小: 0K
描述: MOSFET N-CH 600V 8A TO-220FM
标准包装: 500
FET 型: MOSFET N 通道,金属氧化物
FET 特点: 标准
漏极至源极电压(Vdss): 600V
电流 - 连续漏极(Id) @ 25° C: 8A
开态Rds(最大)@ Id, Vgs @ 25° C: 800 毫欧 @ 4A,10V
Id 时的 Vgs(th)(最大): 4.5V @ 1mA
闸电荷(Qg) @ Vgs: 21nC @ 10V
输入电容 (Ciss) @ Vds: 680pF @ 25V
功率 - 最大: 50W
安装类型: 通孔
封装/外壳: TO-220-3 整包
供应商设备封装: TO-220FM
包装: 散装

R6008ANX
? Dimensions (Unit : mm)
Data Sheet
TO-220FM
D
A
E
E1
φp
b1
Q
e
c
b
x
A
DIM
A
A1
A2
A4
b
b1
c
D
E
e
E1
F
L
p
Q
MILIMETERS
MIN MAX
16.60 17.60
1.80 2.20
14.80 15.40
6.80 7.20
0.70 0.85
1.10 1.50
0.70 0.85
9.90 10.30
4.40 4.80
2.54
2.70 3.00
2.80 3.20
11.50 12.50
3.00 3.40
2.10 3.10
MIN
0.654
0.071
0.583
0.268
0.028
0.043
0.028
0.39
0.173
0.106
0.11
0.453
0.118
0.083
INCHES
0.10
MAX
0.693
0.087
0.606
0.283
0.033
0.059
0.033
0.406
0.189
0.118
0.126
0.492
0.134
0.122
x
-
0.381
-
0.015
Dimension in mm/inches
www.rohm.com
? 2012 ROHM Co., Ltd. All rights reserved.
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2012.01 - Rev.C
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PDF描述
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参数描述
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R6008FNJTL 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
R6008FNX 功能描述:MOSFET Trans MOSFET N-CH 600V 8A RoHS:否 制造商:STMicroelectronics 晶体管极性:N-Channel 汲极/源极击穿电压:650 V 闸/源击穿电压:25 V 漏极连续电流:130 A 电阻汲极/源极 RDS(导通):0.014 Ohms 配置:Single 最大工作温度: 安装风格:Through Hole 封装 / 箱体:Max247 封装:Tube
R6009 制造商:Brady Corporation 功能描述:6000 Series 4.330 " x 500 ' Thermal Printer Ribbon with Black Resistant Ink 1 ea