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参数资料
| 型号： | R1EX25032ATA00A#S0 |
| 厂商： | Renesas Electronics America |
| 文件页数： | 5/24页 |
| 文件大小： | 0K |
| 描述： | IC EEPROM 32K 5MHZ 8TSSOP |
| 标准包装： | 1 |
| 格式 - 存储器： | EEPROMs - 串行 |
| 存储器类型： | EEPROM |
| 存储容量： | 32K (4K x 8) |
| 速度： | 3MHz，5MHz |
| 接口： | SPI 串行 |
| 电源电压： | 1.8 V ~ 5.5 V |
| 工作温度： | -40°C ~ 85°C |
| 封装/外壳： | 8-TSSOP（0.173"，4.40mm 宽） |
| 供应商设备封装： | 8-TSSOP |
| 包装： | 标准包装 |
| 其它名称： | R1EX25032ATA00A#S0DKR |
R1EX25032Axx00A/R1EX25064Axx00A
Block Diagram
High voltage generator
V CC
V SS
S
W
C
HOLD
D
Q
Absolute Maximum Ratings
Memory array
Y-select & Sense amp.
Serial-parallel converter
Operating temperature range *
Parameter
Supply voltage relative to V SS
Input voltage relative to V SS
Storage temperature range
1
Symbol
V CC
V IN
Topr
Tstg
Value
? 0.6 to + 7.0
? 0.5 * 2 to +7.0 * 3
? 40 to +85
? 55 to +125
Unit
V
V
° C
° C
Notes: 1. Including electrical characteristics and data retention.
2. V IN (min): ? 3.0 V for pulse width ≤ 50 ns.
3. Should not exceed V CC + 1.0 V.
DC Operating Conditions
Parameter
Supply voltage
Input voltage
Operating temperature range
Symbol
V CC
V SS
V IH
V IL
Topr
Min
1.8
0
V CC × 0.7
? 0.3 * 1
? 40
Typ
?
0
?
?
?
Max
5.5
0
V CC + 0.5 * 2
V CC × 0.3
+ 85
Unit
V
V
V
V
° C
Notes: 1. V IN (min): ? 1.0 V for pulse width ≤ 50 ns.
2. V IN (max): V CC + 1.0 V for pulse width ≤ 50 ns.
Capacitance (Ta = +25 ° C, f = 1 MHz)
Test
Parameter
Input capacitance (D,C, S , W ,HOLD )
Output capacitance (Q)
Symbol
Cin * 1
C I/O * 1
?
?
Min
?
?
Typ
Max
6.0
8.0
pF
pF
Unit
conditions
Vin = 0 V
Vout = 0 V
Note:
1. Not 100 % tested.
Memory cell characteristics (V CC = 1.8 V to 5.5 V)
Ta=25 ° C
Ta=85 ° C
Notes
Endurance
Data retention
1,000k Cycles min.
100 Years min.
100k Cycles min
10 Years min.
1
1
Notes: 1. Not 100 % tested
REJ03C0358-0002.Rev.0.02 Jan.14.2009
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PDF描述 |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
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