- 您现在的位置：买卖IC网 > PDF目录296977 > R1LP0408CSP-5SC (Renesas Technology Corp.) 4M SRAM (512-kword 】 8-bit) PDF资料下载
参数资料
| 型号： | R1LP0408CSP-5SC |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 4M SRAM (512-kword 】 8-bit) |
| 中文描述： | 4分的SRAM（512 - KWord的】8位） |
| 文件页数： | 11/14页 |
| 文件大小： | 94K |
| 代理商： | R1LP0408CSP-5SC |
R1LP0408C-C Series
Rev.2.00, May.26.2004, page 6 of 12
DC Characteristics
Parameter
Symbol Min Typ
Max Unit Test conditions
Input leakage current
|ILI|
1
A
Vin = VSS to VCC
Output leakage current
|ILO|
1
A
CS# = VIH or OE# = VIH or
WE# = VIL or VI/O = VSS to VCC
Operating current
ICC
1.5*
1
3
mA
CS# = VIL,
Others = VIH/ VIL, II/O = 0 mA
Average operating current
ICC1
8*
1
25
mA
Min. cycle, duty = 100%,
CS# = VIL, Others = VIH/VIL
II/O = 0 mA
ICC2
2*
1
5
mA
Cycle time = 1
s,
duty = 100%,
II/O = 0 mA, CS#
≤ 0.2 V,
VIH
≥ VCC 0.2 V, VIL ≤ 0.2 V
Standby current
ISB
0.1*
1
0.5
mA
CS# = VIH
to +70
°C
ISB1
8
A
Vin
≥ 0 V, CS# ≥ VCC 0.2 V
to +40
°C
ISB1
1.0*
2
3
A
5SC
to +25
°C
ISB1
0.8*
1
3
A
to +70
°C
ISB1
16
A
to +40
°C
ISB1
1.0*
2
10
A
Standby current
7LC
to +25
°C
ISB1
0.8*
1
10
A
Output low voltage
VOL
0.4
V
IOL = 2.1 mA
Output high voltage
VOH
2.4
V
IOH =
1.0 mA
VOH2
2.6
V
IOH =
0.1 mA
Notes: 1. Typical values are at VCC = 5.0 V, Ta = +25
°C and specified loading, and not guaranteed.
2. Typical values are at VCC = 5.0 V, Ta = +40
°C and specified loading, and not guaranteed.
Capacitance
(Ta = +25
°C, f = 1.0 MHz)
Parameter
Symbol
Min
Typ
Max
Unit
Test conditions
Note
Input capacitance
Cin
8
pF
Vin = 0 V
1
Input/output capacitance
CI/O
10
pF
VI/O = 0 V
1
Note:
1. This parameter is sampled and not 100% tested.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1LP0408CSP-7LC | 4M SRAM (512-kword 】 8-bit) |
| R1RP0408D | 4M High Speed SRAM (512-kword ?8-bit) |
| R1RP0416D | 4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit) |
| R1RP0416DGE-2LR | 4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit) |
| R1RP0416DGE-2PR | 4M High Speed SRAM (256-kword X 16-bit) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R1LP0408CSP-5SC#B0 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:72 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SRAM - 同步 存储容量:4.5M（256K x 18） 速度:133MHz 接口:并联 电源电压:3.135 V ~ 3.465 V 工作温度:0°C ~ 70°C 封装/外壳:100-LQFP 供应商设备封装:100-TQFP（14x20） 包装:托盘 |
| R1LP0408CSP5SC#S0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述: |
| R1LP0408CSP-5SC#S0 | 功能描述:IC SRAM 4MBIT 55NS 32SOP RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| R1LP0408CSP-5SCB0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM,Low Power,4Mb, x8, 55ns |
| R1LP0408CSP-5SI | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM Chip Async Single 5V 4M-Bit 512K x 8 55ns 32-Pin SOP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM 4MBIT 5V 55NS 32SOP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM, 4MBIT, 5V, 55NS, 32SOP 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM, 4MBIT, 5V, 55NS, 32SOP; Memory Size:4Mbit; Memory Configuration:512K x 8bit; Supply Voltage Min:4.5V; Supply Voltage Max:5.5V; Memory Case Style:SOP; No. of Pins:32; Access Time:55ns; Operating Temperature Min:-40C; Operating ;RoHS Compliant: Yes |
发布紧急采购，3分钟左右您将得到回复。