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参数资料
| 型号： | R1LV0416DSB-7LI |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 4M SRAM (256-kword 】 16-bit) |
| 中文描述： | 4分的SRAM（256 - KWord的】16位） |
| 文件页数： | 8/17页 |
| 文件大小： | 168K |
| 代理商： | R1LV0416DSB-7LI |
R1LV0416D Series
Read Cycle
R1LV0416D
-5SI
-7LI
Parameter
Symbol
Min
Max
55
Min
Max
70
Unit
Notes
Read cycle time
t
RC
t
AA
t
ACS1
t
ACS2
t
OE
t
OH
t
BA
t
CLZ1
t
CLZ2
t
BLZ
t
OLZ
t
CHZ1
t
CHZ2
t
BHZ
t
OHZ
55
10
10
70
10
10
ns
Address access time
ns
55
70
ns
Chip select access time
55
70
ns
Output enable to output valid
35
55
20
40
70
25
ns
Output hold from address change
ns
LB#, UB# access time
ns
ns
2, 3
Chip select to output in low-Z
10
10
ns
2, 3
LB#, UB# disable to low-Z
5
5
ns
2, 3
Output enable to output in low-Z
5
5
ns
2, 3
0
0
ns
1, 2, 3
Chip deselect to output in high-Z
0
20
0
25
ns
1, 2, 3
LB#, UB# disable to high-Z
0
20
0
25
ns
1, 2, 3
Output disable to output in high-Z
0
20
0
25
ns
1, 2, 3
Rev.1.00, May.24.2007, page 8 of 15
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PDF描述 |
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