参数资料
型号: R1LV1616RSD-5SR
厂商: Renesas Technology Corp.
英文描述: 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit)
中文描述: 16Mb的先进LPSRAM(100万wordx16bit / 200万wordx8bit)
文件页数: 13/16页
文件大小: 113K
代理商: R1LV1616RSD-5SR
R1LV1616R Series
REJ03C0101-0300Z Rev.3.00 2007.08.28
page 13 of 15
Write Cycle (2) (CS1# ,CS2 Clock, OE#=V
IH
)
A
0~19
(Word Mode)
A
-1~19
(Byte Mode)
Valid data
DQ
0~15
(Word Mode)
DQ
0~7
(Byte Mode)
WE#
CS1#
CS2
t
AS
t
BW
t
WR
LB#,UB#
t
CW
t
WP
t
DW
t
DH
Valid address
t
CW
t
WC
相关PDF资料
PDF描述
R1LV1616RBG-7SW 16Mb superSRAM (1M wordx16bit)
R1LV1616RSD-7SW 16Mb superSRAM (1M wordx16bit)
R1LV1616RBG-7SI 16Mb superSRAM (1M wordx16bit)
R1LV1616RBG-7SR 16Mb superSRAM (1M wordx16bit)
R1LV1616RBG-8SI 16Mb superSRAM (1M wordx16bit)
相关代理商/技术参数
参数描述
R1LV1616RSD-7S 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit)
R1LV1616RSD-7SI 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:
R1LV1616RSD-7SI#B0 功能描述:IC SRAM 16MBIT 70NS 52UTSOPII RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M(8Mx32) 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA(8x13) 包装:托盘 其它名称:Q2841869
R1LV1616RSD-7SI#S0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:ADVANCED LPSRAM, 16MB,1MX16, P 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:ADVANCED LPSRAM, 16MB,1MX16, PBFREE/T&R - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 16MBIT 70NS 52TSOP
R1LV1616RSD-7SIB0 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Low Power SRAM.16M,x8/x16,70ns,uTSOP52