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参数资料
| 型号： | R1LV1616RSD-5SR |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit) |
| 中文描述： | 16Mb的先进LPSRAM（100万wordx16bit / 200万wordx8bit） |
| 文件页数： | 8/16页 |
| 文件大小： | 113K |
| 代理商： | R1LV1616RSD-5SR |
R1LV1616R Series
REJ03C0101-0300Z Rev.3.00 2007.08.28
page 8 of 15
Read Cycle
0
0
0
0
5
5
10
-
10
-
-
-
-
55
Min.
R1LV1616R**-
5S (Note0)
20
20
20
20
-
-
-
55
-
35
55
55
70
-
Max.
1,2,3
ns
30
0
25
0
t
OHZ
Output disable to output in high-Z
1,2,3
ns
30
0
25
0
t
BHZ
LB#,UB# disable to high-Z
1,2,3
ns
30
0
25
0
t
CHZ2
1,2,3
ns
30
0
25
0
t
CHZ1
Chip deselect to output in high-Z
2,3
ns
-
5
-
5
t
OLZ
Output enable to output in low-Z
2,3
ns
-
5
-
5
t
BLZ
LB#,UB# enable to low-Z
2,3
ns
-
10
-
10
t
CLZ
Chip select to output in low-Z
ns
85
-
70
-
t
BA
LB#,UB# access time
ns
-
10
-
10
t
OH
Output hold from address change
ns
45
-
35
-
t
OE
Output enable to output valid
ns
85
-
70
-
t
ACS2
ns
85
-
70
-
t
ACS1
Chip select access time
ns
85
-
70
-
t
AA
Address access time
ns
-
85
-
70
t
RC
Read cycle time
Max.
Min.
Max.
Min.
Notes
Unit
R1LV1616R**-
8S
R1LV1616R**-
7S
Symbol
Parameter
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1LV1616RBG-7SW | 16Mb superSRAM (1M wordx16bit) |
| R1LV1616RSD-7SW | 16Mb superSRAM (1M wordx16bit) |
| R1LV1616RBG-7SI | 16Mb superSRAM (1M wordx16bit) |
| R1LV1616RBG-7SR | 16Mb superSRAM (1M wordx16bit) |
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相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
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