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参数资料
| 型号： | R1LV1616RSD-7SI |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 16Mb superSRAM (1M wordx16bit) |
| 中文描述： | 16Mb的superSRAM（100万wordx16bit） |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 122K |
| 代理商： | R1LV1616RSD-7SI |
R1LV1616R Series
Rev.1.00
2004.04.13
page 7 of 16
Capacitance
AC Characteristics
Input pulse levels: VIL= 0.4V,VIH=2.4V
Input rise and fall time : 5ns
Input and output timing reference levels : 1.4V
Output load : See figures (Including scope and jig)
Note 1:This parameter is sampled and not 100% tested.
1
V
I/O
= 0V
pF
10
-
-
C
I/O
Input / output capacitance
1
V in = 0V
pF
10
-
-
C in
Input capacitance
Note
Test conditions
Unit
Max.
Typ.
Min.
Symbol
Parameter
(Ta = +25oC, f =1MHz)
CL=30pF
RL=500
DQ
1.4V
Test Conditions (Vcc=2.7~3.6V, Ta = 0~+70oC / -20~+85oC / -40~+85oC *)
Note: Temperature range depends on R/W/I-version. Please see table on page 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1LV1616RSD-7SR | 16Mb superSRAM (1M wordx16bit) |
| R1Q2A3609 | 36-Mbit QDR™II SRAM 2-word Burst |
| R1Q2A3609ABG-40R | 36-Mbit QDR™II SRAM 2-word Burst |
| R1Q2A3609ABG-50R | 36-Mbit QDR™II SRAM 2-word Burst |
| R1Q2A3609ABG-60R | 36-Mbit QDR™II SRAM 2-word Burst |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R1LV1616RSD-7SI#B0 | 功能描述:IC SRAM 16MBIT 70NS 52UTSOPII RoHS:是 类别:集成电路 (IC) >> 存储器 系列:- 标准包装:1 系列:- 格式 - 存储器:RAM 存储器类型:SDRAM 存储容量:256M（8Mx32） 速度:143MHz 接口:并联 电源电压:3 V ~ 3.6 V 工作温度:-40°C ~ 85°C 封装/外壳:90-VFBGA 供应商设备封装:90-VFBGA（8x13） 包装:托盘 其它名称:Q2841869 |
| R1LV1616RSD-7SI#S0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:ADVANCED LPSRAM, 16MB,1MX16, P 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:ADVANCED LPSRAM, 16MB,1MX16, PBFREE/T&R - Tape and Reel 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC SRAM 16MBIT 70NS 52TSOP |
| R1LV1616RSD-7SIB0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:Low Power SRAM.16M,x8/x16,70ns,uTSOP52 |
| R1LV1616RSD-7SR | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:16Mb Advanced LPSRAM (1M wordx16bit / 2M wordx8bit) |
| R1LV1616RSD7SR#B0 | 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 16M-Bit 2M/1M x 8/16-Bit 70ns 52-Pin TSOP-II T/R |
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