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参数资料
| 型号： | R1WV3216RSD-7SI |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| 中文描述： | 32兆superSRAM（200万wordx16bit） |
| 文件页数： | 7/16页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | R1WV3216RSD-7SI |
R1W V3216R Series
Rev.1.00
2004.4.13
page 7 of 16
Capacitance
Note 1. This parameter is sampled and not 100% tested.
AC Characteristics
Test Conditions (Vcc=2.7~3.6V, Ta = 0~+70oC / -20~+85oC / -40~+85oC *)
Input pulse levels: VIL= 0.4V,VIH=2.4V
Input rise and fall time : 5ns
Input and output timing reference levels : 1.4V
Output load : See figures (Including scope and jig)
1
V
I/O
= 0V
pF
20
-
-
C
I/O
Input / output capacitance
1
V in = 0V
pF
20
-
-
C in
Input capacitance
Note
Test conditions
Unit
Max.
Typ.
Min.
Symbol
Parameter
(Ta = +25oC, f =1MHz)
CL=30pF
RL=500
DQ
1.4V
Note: Temperature range depends on R/W/I-version. Please see table on page 2.
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1WV3216RSD-7SR | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| R1WV3216RSD-7SW | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| R1WV3216RSD-8S | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| R1WV3216RSD-8SI | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| R1WV3216RSD-8SR | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R1WV3216RSD-7SI#B0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:LOW POWER SRAM 32M 2MX16 3.3V 70NS - Bulk 制造商:Renesas Electronics 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 2M x 16 70ns 52-Pin TSOP-II Tray 制造商:Renesas Electronics 功能描述:70ns 3V 3V Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 32M-Bit 2M x 16 70ns 52-Pin TSOP-II |
| R1WV3216RSD-7SR | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:IC,Memory,SRAM,low power,TSOP5 |
| R1WV3216RSD-7SR#B0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:LOW POWER SRAM - Bulk |
| R1WV3216RSD-7SR(#B0) | 制造商:Renesas Electronics 功能描述:Cut Tape 制造商:Renesas 功能描述:0 |
| R1WV3216RSD-7SW | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
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