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参数资料
| 型号： | R1WV3216RSD-8SR |
| 厂商： | Renesas Technology Corp. |
| 英文描述： | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| 中文描述： | 32兆superSRAM（200万wordx16bit） |
| 文件页数： | 3/16页 |
| 文件大小： | 124K |
| 代理商： | R1WV3216RSD-8SR |
R1W V3216R Series
Rev.1.00
2004.4.13
page 3 of 16
Pin Arrangement
Pin Description
52-pin μTSOP
48-pin fBGA
1
2
3
4
5
6
A
B
C
D
E
F
G
DQ2
A7
DQ0
CS2
Vcc
Vss
DQ5
A2
CS1#
DQ1
DQ3
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DQ6
A1
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OE#
UB#
DQ14
DQ12
DQ11
DQ9
LB#
DQ15
DQ13
Vss
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DQ10
DQ7
WE#
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DQ8
A20
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H
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NC
or
Vss
BYTE#
UB#
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DQ0
A0
Vss
NC
OE#
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DQ1
DQ9
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NC
DQ11
Vss
LB#
DQ10
DQ3
DQ4
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A1
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A3
WE#
NC
A19
CS1#
Vcc
CS2
NC
A20
NC
Non connection
NC
Byte (x8 mode) enable input
BYTE#
Ground
Vss
Power supply
Vcc
Upper byte select
UB#
Lower byte select
LB#
Output enable
OE#
Write enable
WE#
Chip select
CS1# &CS2
Data input/output
DQ 0 to DQ15
Address input
A0 to A20
Function
Pin name
相关PDF资料 |
PDF描述 |
|---|---|
| R1WV3216RSD-8SW | 32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| R200CHX | DISTRIBUTED GATE THYRISTORS |
| R210CHX | DISTRIBUTED GATE THYRISTORS |
| R216CHX | DISTRIBUTED GATE THYRISTORS |
| R219CHX | DISTRIBUTED GATE THYRISTORS |
相关代理商/技术参数 |
参数描述 |
|---|---|
| R1WV3216RSD-8SW | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:32Mb superSRAM (2M wordx16bit) |
| R1WV6416R | 制造商:RENESAS 制造商全称:Renesas Technology Corp 功能描述:64Mb Advanced LPSRAM (4M word x 16bit / 8M word x 8bit) |
| R1WV6416RBG-5SI | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM 64MBIT 3V 55NS 48FBGA 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:SRAM, 64MBIT, 3V, 55NS, 48FBGA; Memory Size:64Mbit; Memory Configuration:4M x 16bit; Supply Voltage Min:2.7V; Supply Voltage Max:3.6V; Memory Case Style:FBGA; No. of Pins:48; Access Time:55ns; Operating Temperature Min:-40C; ;RoHS Compliant: Yes |
| R1WV6416RBG-5SI#B0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:LPSRAM 4M X 16 55NS - Bulk 制造商:Renesas 功能描述:SRAM Chip Async Single 3V 64M-Bit 8M/4M x 8/16-Bit 55ns 48-Pin FBGA Tray |
| R1WV6416RBG-5SI#S0 | 制造商:Renesas Electronics Corporation 功能描述:LPSRAM 4M X 16 55NS - Tape and Reel |
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